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键合金丝是电子封装过程中的关键材料,其键合可靠性对电子元器件的性能稳定性与寿命具有重要的影响。使用自制的Au丝将2835 LED芯片与镀Ag支架键合,并采用破坏性键合强度测试和加速寿命试验,测试并研究了Au丝的键合强度及Au-Ag键合界面的可靠性,通过扫描电镜(SEM)、电子探针(EPMA)等手段,对比分析了高温及电流加载对Au丝及Au-Ag键合界面组织演变及元素扩散行为的影响。研究结果表明,高温偏压寿命试验(TBOL)后,Au与Ag的相互扩散加剧,Au-Ag键合点残金面积增大,Au焊点中Ag含量从0.195%提高至1.584%(质量分数),使焊点固溶强化效应增强,焊点平均推力值增大约10%,进一步提高了焊点的键合可靠性。 相似文献
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