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多晶碘化汞膜的PVD法制备及其光电特性 总被引:1,自引:0,他引:1
用改进的热壁物理气相沉积(HWPVD)装置制备出晶体质量较好的多晶HgI2膜,研究了生长参数对沉积膜质量的影响,对多晶HgI2膜用金相显微镜、XRD、红外光谱进行了表征观察及对用多晶HgI2膜制备的探测器采用了暗电流测试和电容频率特性测试.结果表明PVD法制备的多晶HgI2膜纯度高,结构完整性好,均匀性好,并且其相应器件有低的暗电流(电场0.2 V/μm时,暗电流为25 pA/mm2)和较小的电容(约1 pF),可用于实际应用. 相似文献
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利用XRD和扫描电镜研究了热处理对一种定向凝固Co基合金微观组织的影响.结果表明:Co基合金的铸态组织主要由Co的固溶体基体、M<,7>C<,3>、MC和M<,23>C<,6>碳化物组成,其中M<,7>C<,3>,和MC为块状,主要分布在枝晶间,M<,23>C<,6>呈颗粒状,分布在块状M<,7>C<,3>和MC周围.合金经1150℃×4h固溶处理后,大部分块状M<,7>C<,3>和MC溶人Co的固溶体基体中,在随后的空冷中析出颗粒状M<,23>C<,6>.在870℃和970℃时效时,随时效温度的升高和时效时间的延长,合金中M<,23>C<,6>的尺寸逐渐增大. 相似文献
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表面漏电流引起的噪声会限制CAznTe(CZT)探测器的性能。尤其对于共面栅探测器,漏电噪声的大小与器件的电极设计和表面处理工艺密切相关。本文比较了探测器表面的物理和化学钝化工艺:采用H2O2溶液和KOH—KCl溶液对CZT样品进行湿化学钝化处理,采用RFPCVD法在CZT样品表面沉积类金刚石薄膜(DLC)进行物理干法钝化。借助俄歇电子能谱(AES)和显微拉曼光谱以及ZC36微电流测试仪等手段研究了CZT表面组成与器件电学性能之间的关系。AES结果表明KOH—KCl溶液钝化可以改善CZT样品表面的化学组分比,H2O2溶液钝化可以将表面富Te层转化为高阻氧化层,钝化前后的I-V特性曲线表明两种化学钝化方法均可以有效地减小器件表面漏电流,达到满意的钝化效果。CZT样品表面物理钝化通过在样品表面沉积DLC薄膜加以实现,显微拉曼光谱表明CZT表面钝化层是高sp^3含量的DLC薄膜,AES深度剖析表明DLC薄膜可以有效阻止CZT内部元素的外扩散,并且DLC薄膜内部C元素向CZT内部的扩散也是比较低的。DLC薄膜钝化后的CZT共面栅探测器表面栅距25μm的栅间电阻可以达到12GΩ,有效地降低了器件的表面漏电流。 相似文献
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阐述了应用预应力法修复主梁下挠的新技术。起重机械是提高劳动生产率的重要工具和设备,但在使用过程中,主梁下挠不容易修复,采用火焰校正等方法需拆卸起重机,而使用预应力法修复,施工简单,费用低,而且不必拆卸。 相似文献
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参照下运带式输送机的制动特点和制动技术,提出了有水平段带式输送机可能出现飞车的工况,推出了此类带式输送机的计算方法,分析了有水平段带式输送机的设计及制动选用原则。 相似文献
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