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对 Si 掺杂和 Zn 掺杂 p 型 GaAs 液相外延材料进行光致发光研究。用发射波长为510.6 nm 和578.2 nm 的溴化亚铜激光器为激发光源,样品的低温由氦循环致冷机提供,样品室温度在10~300K 中可调。在所选取的狭缝宽度下谱仪的分辨率大致为2 nm,所提供的数据全部经过系统灵敏度校正并进行分峰拟合。对 Si 掺杂 p 型 GaAs 样品 PL 谱中一些主要特征进行讨论,认为A_1,A_2,A_3三个发射带分别对应着导带“尾”态中电子向价带和两个浅受主能级的跃迁,它们随温度变化的情况,和带隙宽度及电子填充状态随温度变化有关。此外,我们还观察了掺 Zn 的 p 型 GaAs 样品的 PL 谱,与掺 Si 样品比较,具有明显不同的特征,谱线在长波端(~950 nm)的上扬趋势表明在低能区域可能存在一个与深能级复合有关的宽发射带。 相似文献
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本文介绍了以Chromatix CMX-4染料脉冲激光器为光源,自制的PZT换能器为探测元件,利用BOXCAR平均器的时间选通特性,从比光声讯号本身大十多倍的噪声讯号中检测出光声讯号。我们测得光波波长在5774~6095之间碳黑光声归一化曲线和理论分析符合;测得Nd_2O_3粉末在5890~6135之间光声归一化曲线和国内外文献报道符合;对光声讯号延迟时间进行了分析研究。并对石英簿板和铜簿板的光声讯号速度进行了比较。 相似文献
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