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超长SnO2纳米带的制备及表征的研究 总被引:2,自引:0,他引:2
本文以锡粉为原料,采用化学气相沉积法制备了SnO2纳米带.SnO2纳米带的制备在高温加热炉中进行。加热温度为1000℃.X射线衍射(XRD)分析表明,所制备的样品为具有正方金红石结构的SnO2.扫描电子显微镜(SEM)和透射电子显微镜(TEM)分析表明,所制备的样品为尺寸均匀一致的纳米带.选区电子衍射(SAED)结果证实所制备的SnO2纳米带为单晶.通过对其生长过程及机理分析可知,SnO2纳米带的生长是由气一固生长机制来控制的. 相似文献
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