橡胶注压设备、工具及加工工艺

橡胶注压机初期发展起始于二十世纪五十年代后期,人们把这些利用鱼雷装置塑化橡胶的第一代机器制造成为卧式柱塞式注压机。对大多数橡胶的应用来说,有必要把塑化、剂量及注射这些注射变量分开。随着螺杆一柱塞注压概念的发展,橡胶的模压终于达到成熟阶段。     

抛物线型衬底InGaN/GaN发光二极管的模拟研究

针对发射到衬底中的光子,提出了一种具有抛物线型衬底结构的InGaN/GaN发光二极管,并对平面衬底和抛物线型衬底InGaN/GaN发光二极管的光子运动轨迹、发射功率角度分布和外量子效率进行了模拟计算.结果表明:相对于平面衬底发光二极管,抛物线型衬底发光二极管可以充分利用发射到衬底中的光子,使其正向光子发射功率增加12.6倍,外量子效率提高1.22倍,同时具有发射准平行光的功能.     

履带行走式液压支架动力学特性研究

基于静态力学分析的传统设计方法制造的履带行走式液压支架,在复杂围岩环境下适应性差、故障率高。论文通过构建履带行走式液压支架动力学模型,运用拉格朗日法推导出主要部件的动力学微分方程。借助ADAMS软件对顶梁和油缸进行动力学仿真,其动态特性表明,在简谐载荷作用下,履带行走式液压支架的稳定性好,支护性能可靠。其次,降低履带行走式液压支架同围岩顶板间的离层间隙高度,能大幅提高支护质量。     

东辽河流域可利用地表水资源的计算方法

地表水资源可利用量是指在可预见期内,在统筹考虑河道内生态环境和其它用水的基础上,通过经济合理、技术可行的措施,供河道外生活、生产、生态用水的一次性最大水量(不包括回归水的重复利用)。     

In2Se3薄膜生长及结晶择优取向的影响因素研究

(In,Ga)2Se3薄膜的生长结晶性的好坏直接影响着在其基础上化合生长的Cu(In,Ga)Se2(CIGS)薄膜以及CIGS太阳电池器件的性能.实验就多源共蒸发制备In2Se3预制层工艺中3个主要条件,即衬底材质、Se源温度、衬底温度进行研究.分析讨论上述3种因素对In2Se3薄膜的结晶生长和择优取向生长的影响.发现:在Mo/苏打石灰玻璃(Mo/SLG)衬底上生长,Se源温度在270℃以上或衬底温度为380～400℃的较高温度时,制备的In2Se3预制层是单一晶相的In2Se3,其x射线衍射峰是以(110)和(300)峰为择优取向.反之,生长在苏打石灰玻璃(SLG)衬底上,Se源温度为230℃以下或衬底温度为较低温度300℃时,In2Se3预制层结晶质量较差,其X射线衍射峰则多以In2Se3(006)衍射峰为择优取向.     

铜含量对镁合金化学镀Ni-Cu-P镀层性能的研究

为研究镀液中不同铜离子含量对镁合金AZ91D化学镀Ni-Cu-P镀层性能的影响,采用硫酸镍为镍源,在镁合金化学镀Ni-P的镀液中加入不同含量的铜离子,可直接得到不同的Ni-Cu-P镀层,但都较均匀致密,结合力良好.经过耐醋酸腐蚀、磨粒磨损试验,结果表明:在硫酸铜含量为0.5g/L的镀液中获得的Ni-Cu-P镀层,较基体的耐蚀性提高了0.84倍,耐磨性提高了0.56倍.由此得出结论:镀液中硫酸铜含量为0.5g/L,所得到的镀层性能最佳.     

离子束溅射Si／Ge多层膜的界面结构研究

采用离子束溅射技术，在玻璃衬底上制备了不同周期数的Si／Ge多层膜样品。通过Raman光谱和X射线小角衍射对薄膜进行了表征和分析，发现随着生长周期数的增加，层与层之间的互扩散效应逐渐减弱，界面结构逐渐清晰，生长周期为25的样品界面最平整。     

高压炉管对接焊缝超声波探伤

本文参照国内外有关标准、文献,将JB 1152-81标准中的CSK-IA与CSK-ⅡA两个试块合为一体,设计了S试块(基准试块);同时根据小口径炉管对接焊缝超声波探伤的具体情况,制定了以检测根部未焊透为主要途径的探伤方法,即用R试块(参考试块)上的矩形槽来确定未焊透的参考基准;经理论分析与实际验证采用了小晶片、大K值、短前沿、曲率与被探炉管相同或相近的探头。最后用射线探伤方法对超声波探伤进行了验证。     

Si+自注入Si晶体中缺陷分布的计算模拟

在两体近似碰撞模型基础上,采用SRIM程序对自注入硅离子及其造成的损伤在样品的分布进行了研究,模拟了Si<'+>自注入si晶体的Si<'+>深度分布几率和注入时的能量传递.计算结果表明:在相同注入能量的情况下,注入Si<'+>的分布概率是恒定的,在注入过程中电离能是阻止Si<'+>进一步深入的主导因素.论文还初步讨论了...     

老虎坝水闸工程安全检测分析

文章针对老虎坝水闸工程存在的诸多问题，根据水闸工程安全鉴定的要求，提出了现场检测的内容和方法，得出了安全检测的结果，并进一步对检测结果进行了分析评价，最后还在安全检测的基础上对水闸复核计算的内部和除险加固措施提出了一些意见和建议。