大口径光学元件装夹转运结构设计及分析

为了实现大口径光学元件的安全装夹、转运,通过光学元件开槽与不开槽两种装夹方式的分析,得出开槽夹紧转运方式将带来微裂纹、应力集中、成本高等缺陷,提出了利用摩擦力克服光学零件的重力和惯性力的低应力装夹转运方案。通过对光学元件低应力夹紧结构设计,并利用有限元分析方法,得到不开槽装夹方式下,光学元件的最大主应力为1.11 MPa,最大切应力为0.73 MPa,远低于光学元件破坏的强度极限,且受力均匀,无应力集中现象。     

载体对钯基选择加氢催化剂性能的影响

以常规浸渍法制备了一系列Pd基催化剂，考察载体结构、织构及组成对其加氢性能的影响。采用程序升温技术（TPR-H2、TPDCO）对催化剂进行了表征和相应分析。结果表明，Al2O3载体中以高温1100℃焙烧后形成的占晶型具有更高的乙烯选择性。Pd基催化剂的Al2O3载体预先修饰MgO或CeO2后，能获得良好的金属分散度和适宜的反应物的吸附及产物的脱附特性，使得在高氢／炔体积比下催化剂样品上乙烯收率也维持在80％左右。在非Al2O3型载体制备的催化剂中，与金属Pd存在强相互作用的TiO2载体制备的催化剂的催化性能优越，最优样的乙烯收率达到95％。催化剂表面的Pd^hHx物种和Pd—C结合能在很大程度上影响着H2吸附活化和乙烯脱附能力，这对选择加氢性能有至关重要的作用。     

Nd：GdVO4晶体生长及其LD端面泵浦调Q激光性能

通过液相合成方法提纯Nd：GdVO4多晶料，降低生长过程中存在的原料非一致性挥发，以及使用特殊晶体生长温控技术和消除晶体“后天性光散射”，Czochralski方法成功生长系列不同钕掺杂浓度的Nd：GdVO4单晶。采用不同透过率的Cr”：YAG晶体对Nd：CdVO4晶体进行激光调Q实验。实验结果显示，Cr^4 ：YAG Nd：GdVO4激光器可以得到稳定高平均功率调制激光输出。实验得到的最小脉冲宽度只有6ns，对应峰值能量为26．4kW。对不同浓度掺杂对晶体调制激光性能也进行了比较，发现掺钕浓度越高，激光脉冲能量和峰值功率越大。对该晶体的GaAs调Q激光输出性能也进行了介绍，4．8W泵浦光下，最大GaAs调制激光输出为0．63W。     

组合曲线在扳手设计中的妙用

介绍一种几何曲线组合成的板手头，实现了结构复杂的棘轮板手机构的功效。通过其曲线的组合实现了板手的功能，并为扳手的使用提高了效率。     

闪光法测试同心圆柱套筒间接触热阻的研究

用“闪光”法测量同心圆柱套筒之间的接触热阻，利用Ｌａｐｌａｃｅ变换和热四端网络法建立了热参数估计的数学模型，根据灵敏度分析原理对测量系统所涉及的参数进行了分析计算，并以此提出了分段估计接触热阻和试样对流换热系数的方法。作者还实验研究了接触热阻与接触面压力的关系。所介绍的测量方法能够测量１０＾－６ｍ＾２Ｋ／Ｗ量级的接触热阻。     

罗盘在车辆导航系统中的应用

文章介绍了美国PNI公司生产的Vector 2X电子罗盘 ,详细给出其在被动模式下的应用实现 ,并描述了一种使用Vector 2X电子罗盘的组合定位的车辆导航系统。     

单片机入门教学的得力助手——单片机示教板

为落实新课标倡导的技术与设计相结合的教育理念,提高学生的信息与技术素养,促进学生全面而富有个性的发展,我校特开设了单片机技术课程。单片机是集成在一个芯片上的微型计算机,是实现智能控制的核心部件。它体积虽小,却功能强大、应用广泛。它可将传感器等输入设备采集到的外部信息进行判断和处理,并能驱动输出设备执行工作、控制相关设备。大到飞机、导弹,小到洗衣机、微波炉,大大小小的智能设备内部都能见到它的踪影。为了避免单片机课程枯燥乏味、深不可及,我校特别选择了专为中小学生开展科技活动而开发的DP801型单片机作为学具。它将编辑与执行功能集成在一起,因而不需昂贵的开发装置就能编程、运行和调试。但由于DP801型单片机输入输出设备较少,学生只能利用按键或触点开关模拟各种信号的输入,用数码管、发光二极管和音箱这仅有的三类设备感受控制后的输出状态,几节课下来学生不免有些倦怠乏味。为了让学生看到更加生动的控制场景,使他们对高深的技术知识能理解、能实践、能应用,我结合教学实践,自行设计开发了单片机示教板。     

论工程量清单计价

文章简要介绍了以工程量清单计价的必要性、形式、特点及与定额计价的区别。     

红外背景干扰研究

根据从许多地区收集来的录象磁带上的图象数据和大量红外图象数据，对红外背景图象内的干扰进行了研究。图象内的噪声是以象元电平为单位的均方根形成计算。图象经过空间滤波处理，对其内的干扰再进行计算。为获得关于红外背景图象的空间频率构成的信息，在滤波和非滤波两种状态下计算了图象的光谱密度，把计算出的干扰值输入数据库取出多组数据并绘图，确定参数量（如天气、背景类型和测量条件等）对干扰电平的影响。