ZnS/CuInS2/Mo/钠钙玻璃衬底上射频溅射ZnO∶Al薄膜的SEM研究

结合ZnO薄膜在Cu-III-VI2基薄膜太阳电池上的应用，采用射频磁控溅射技术以陶瓷ZnO∶Al2O3为靶材在ZnS/CuInS2/Mo/钠钙玻璃衬底上于固定沉积条件下低温（200℃）制备了铝掺杂氧化锌（ZnO∶Al）薄膜. 运用扫描电子显微镜研究了底层材料特别是ZnS和CuInS2的生长参数对沉积的ZnO∶Al薄膜的表面形貌的影响. 实验发现，衬底材料中硫含量的增加（无论来自ZnS还是来自CuInS2) ，都会引起沉积ZnO∶Al薄膜结晶质量的提高，而金属含量的增大将有利于薄膜均匀性的改进.     

ZnS/CuInS2/Mo/钠钙玻璃衬底上射频溅射ZnO:Al薄膜的SEM研究

结合ZnO薄膜在Cu-Ⅲ-Ⅵ2基薄膜太阳电池上的应用,采用射频磁控溅射技术以陶瓷ZnO:Al2O3为靶材在ZnS/CuInS2/Mo/钠钙玻璃衬底上于固定沉积条件下低温(200℃)制备了铝掺杂氧化锌(ZnO:Al)薄膜.运用扫描电子显微镜研究了底层材料特别是ZnS和CuInS2的生长参数对沉积的ZnO:Al薄膜的表面形貌的影响.实验发现,衬底材料中硫含量的增加(无论来自ZnS还是来自CuInS2),都会引起沉积ZnO:Al薄膜结晶质量的提高,而金属含量的增大将有利于薄膜均匀性的改进.     

氮掺杂VCD金刚石薄膜的场电子发射研究

用微波等离子体化学气相沉积（ＭＰ－ＣＶＤ）方法生长氮掺杂金刚石薄膜,研究发薄膜场电子发射性能。实验结果表明,不同氮源气体流量下制备的榈均呈现连续而稳定的场电子发射,但发射性能对氮源气体流量有强烈的依赖性。随着氮源气体流量由０逐渐增大到０．５ｃｍ＾３（ＳＴＰ）／ｍｉｎ,发射的开启电压从１０５０Ｖ逐渐减小为１５０Ｖ,而当氮流量超过０．５ｃｍ＾３（ＳＴＰ）／ｍｉｎ时,开启电压则不断增大,当氮流量为３．０     

氮离子注入CVD金刚石薄膜的场电子发射研究

对氮离子注入掺杂的微波等离子ＣＶＤ金刚石薄膜进行了场电子发射研究。结果表明,发射具有３特征,即当样品损伤层被击穿、发射体被激活后,稳定的发射建立起来,并表现出优异的发射性能,开启电压低（４５Ｖ）,发射电流大（１３０ｍＡ）。根据电介质的击穿模型和金属／电介质／真空的发射体模型对结果进行了讨论。     

超声喷雾热解法制备TiO2光催化自清洁陶瓷及其性能研究

为了制备成本低、高效低碳、自清洁能力强的卫浴陶瓷,文章采用超声喷雾热解法在普通釉面陶瓷上制备了TiO2薄膜,以亚甲基蓝为目标降解物,考察了沉积温度对TiO2薄膜光催化活性的影响;采用X射线衍射分析仪(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)对样品的晶体结构和表面形貌进行了表征.实验结果表明:TiO2薄膜表面分布均匀,属于锐钛矿型,具有一定的择优取向.光催化实验和亲水性实验表明:当沉积温度为350℃时,薄膜在紫外光照射3h后,对亚甲基蓝的降解率可达53.9%,并表现出良好的亲水性.     

纳米粉预处理的CVD金刚石薄膜成核与生长研究

研究了纳米金刚石粉预处理的光滑硅衬底上CVD金刚石薄膜的成核与生长．通过与研磨处理样品相比较,纳米金刚石的预处理极大地提高了成核密度（可达10⁹／cm²）、成核速度与成膜质量,并能方便地进行成核密度的控制,是一种经济实用、简单有效的预处理方法．     

原位氮掺杂对CVD金刚石薄膜生长和结构的影响

以氮气为杂质源 ,采用微波等离子体化学气相沉积技术进行了金刚石薄膜的原位掺杂 ,研究了氮掺杂对CVD金刚石薄膜的形貌结构和生长行为的影响。运用SEM ,Raman ,XRD和FTIR等手段对样品进行了分析表征。实验结果表明 ,原位氮掺杂的CVD金刚石薄膜的晶面显露、晶粒尺寸、致密性、生长速率以及薄膜的微结构特征等均强烈地依赖于反应气体中氮源浓度比 ;如果氮源气体流量适当 ,杂质氮不仅能进入金刚石薄膜晶格中 ,还能与薄膜中碳原子形成化学键结合     

模拟研究常闭和常开工作模式下的平面栅极型碳纳米管场发射电子源

采用数值模拟的方法对比性地研究了常闭和常开工作模式下平面栅极型碳纳米管场发射电子源.静电场的数值计算结果显示:常闭工作模式下该电子源中阴极电极的表面电场分布不均匀,边缘处的高电场易导致其上的碳纳米管烧毁,从而引起场发射电流衰减.为了解决此问题,提出将常开工作模式用于该电子源,并证实常开工作模式能够用于该电子源,并有利于解决电流衰减问题.因此,相对于常闭工作模式,常开工作模式更适合平面栅极型碳纳米管场发射电子源.     

用于太阳电池吸收层的Cu2ZnSnS4薄膜的制备及其光电特性

采用真空蒸镀技术在钠钙玻璃衬底上蒸镀Cu/Sn/ZnS前驱体,在氮气保护下,硫化制备了Cu2ZnSnS4(CZTS)薄膜.运用X射线衍射仪(XRD)、Hall效应测试仪、紫外-可见光(UV-VIS)分光光度计对样品进行了表征分析,研究了前驱体中预计原子比对CZTS薄膜的晶体结构及光电特性的依赖关系.通过对蒸发源Cu的质量的控制与微调,获得了具有单一相类黝锡矿结构的CZTS薄膜,其对可见光的光吸收系数大于104cm-1、光学禁带宽度约为1.51eV,薄膜的电阻率、载流子迁移率和载流子浓度分别为1.46Ω·cm,4.2cm2/(V·s)和2.37×1018cm-3,适合作为薄膜太阳电池的吸收层.     

两步氧化法制备ZnO薄膜及其光催化特性研究

本文采用热蒸发法在玻璃衬底上沉积Zn膜,然后在氧气中通过两步热氧化制备ZnO薄膜。利用X射线衍射（XRD）、扫描电子显微镜（SEM）和紫外透过光谱等表征技术,研究了氧化温度对ZnO薄膜结晶质量和光学性能的影响。研究结果表明,两步氧化法在400℃下氧化1 h后的样品中除含有ZnO成份外,还有少量金属Zn存在;525℃下氧化1 h可以制备出疏松多孔的ZnO薄膜,其在紫外光和可见光范围内的透过率可达85%。通过太阳光和紫外光（254 nm）催化降解苯酚实验,发现两步氧化法制备的ZnO薄膜具有良好的光催化特性：太阳光照10 h后苯酚降解率达到56%,紫外灯下苯酚降解率高达86%。此外,ZnO薄膜的光催化重复利用实验表明,经过H2O2溶液清洗干燥处理后,ZnO薄膜可以基本恢复其光催化能力,此特性为ZnO薄膜的重复利用提供了很好的实验依据。