一种高速通信中的模拟自适应均衡器设计

由于LVDS传输线在高速数据传输中存在着码间干扰,限制了传输数率和传输距离.因此引入均衡器来补偿数据的高频损耗就变得尤其重要.鉴于模拟自适应均衡器的诸多优点,设计一个基于CMOS工艺的高速模拟自适应均衡器.采用了TSMC 0.25μm CMOS工艺实现,能够很好的均衡传输数率为2Gbps的数据信号.     

一种低功耗交叉耦合环形振荡器

通过引入NMOS交叉耦合结构,设计了一种低功耗,低相位噪声的二级环形振荡器.采用TSMC 0.25μm CMOS工艺参数,用Cadence的Spectre软件进行仿真,在3.3V电压下,工作频率可达2G,偏离主频1MHz处相位噪声为-95.6dBc/Hz.功耗为3.2mW.     

空间交叉闭合多边形角度闭合差的计算问题

南京钟山煤矿,在东三采区轨道上山贯通施测中,形成一个有三个内角一个外角图形,有三个交叉点的空间交叉闭合多边形。导线前进方向如图1所示,观测右角,测角37个。关于空间交叉闭合多边形角度闭合差的计算问题,在中国矿院编著的《矿山测量学》一书中已做了较详细的论述。原文中的计算公式为:∑β=180°[n-2(P-K)]。其中,P为内角图形个数,K为外角图形个数,n为闭合导线角数。原文的图形如图2。当交叉点的个数为奇数或偶数时,计算公式∑β=180°[n-2(P-K)]变为以下两种公式,当交又点为奇数时∑β=180°n,当交叉点为偶数时∑β=180°(n±2)。应用式∑β=180°[n-2(P-K)]来计算图1闭合交叉导线角度闭合值;     

一种用于CMOS A/D转换器的带隙基准电压源

设计了一种用于CMoS A/D转换器的带隙基准电压源.该电路消除了传统带隙基准电压源中运算放大器的失调电压及电源电压抑制比对基准源指标的限制,具有很高的精度和较好的电源电压抑制比.电路采用中芯国际(SMIC)0.35μm CMOS N阱工艺.HSPICE仿真结果表明,在3.3 V条件下,在-40℃～125℃范围内,带隙基准电压源的温度系数为2.4×10-6V/℃,电源电压抑制比为88 dB@1 kHz,功耗为0.12 mW.