苯基荧光酮光度法测定铝合金中微量钛

苯基荧光酮光度法测定铝合金中微量钛闻莺（北京矿冶研究总院,北京,１０００４４）铝合金广泛应用于航空、汽车、机械制造＊等领域。变形铝合金中添加微量钛可提高合＊金的强度和塑性,其含量的准确测定至关重＊要（１）。微量钛的测定,通常采用二安替比林甲烷吸光光度...     

用同步辐射X射线荧光微区分析技术测定单晶硅中的掺杂元素As

利用同步辐射Ｘ射线微区分析技术，研究了单晶硅中掺杂元素Ａｓ浓度的定量分布，并对结果进行了讨论。     

石墨炉原子吸收光谱法测定高纯阴极铜中痕量硅的研究

研究了用石墨炉原子吸收光谱法测定高纯阴极铜中痕量硅的方法。采用钨涂层石墨管和氟化钾作基体改进剂双重手段阻止了碳化硅的生成 ,解决了石墨炉测硅时生成的碳化硅干扰准确测定的难题。方法灵敏度为 5.8× 10 - 1 1 g/1%吸收 ,硅测定范围为 0～ 15.0 μg/L ,对 10 0 μg/L硅标准溶液重复测定 10次 ,其相对标准偏差为 4.41%。对含 2 g/L铜的高纯铜溶液测得硅回收率为 98%。     

硅单晶中掺杂元素砷的SRXRF微区分析研究

研究了同步辐射X射线微荧光分析法对硅单晶中掺杂元素As的微区分析．利用同步辐射光源的优越性和微区扫描装置获得了清晰的掺杂元素As的二维分布图,用四探针法验证了测定结果．实验结果表明,同步辐射X射线微荧光分析法可以成为对半导体材料硅单晶样品准确地进行大面积扫描微区测定的手段．本文用品体生长理论对实验结果进行了讨论．