掺(Ga,Si)银铝浆对n型TOPCon太阳能电池电性能的影响

银铝浆是新一代太阳能电池(n型TOPCon)的关键材料,但其金属化后在Si发射极表面形成很大且很深的“银铝尖钉”,尖钉易击穿p-n结造成短路,成为限制其应用的瓶颈。引入Si、Ga元素对银铝浆进行优化,分别制备了掺Si和掺Ga, Si的银铝浆,研究其对金属化区域暗态饱和电流密度J_0.metal、欧姆接触电阻R_c的影响机制。结果表明：掺入少量Si后,金属化区域未见明显“银铝尖钉”,说明掺Si后抑制了在浆料金属化时出现“银铝尖钉”的现象,对p-n结损伤较小,J_0.metal下降,开路电压V_oc上升,但是R_c增大。再掺入Ga组分后“银铝尖钉”明显变浅,数量变多,R_c下降,弥补了掺Si银铝浆欧姆接触差的弊端,有较高的电池转换效率;用扩散浓度测试仪(ECV)对发射极表层进行元素浓度分析,发现Ga分布于表层0～50 nm处,有利于改善欧姆接触。研究了Ga、Si的掺入量对银铝浆电性能的影响,电池转换效率最高达到24.68%,太阳能电池效率提升0.55%。     

锂硫电池石墨烯/硫复合正极材料的制备及其电化学性能

以经活化处理的石墨烯(AG)为主体材料, 通过化学还原法制备了石墨烯负载硫的复合正极材料AG/S。SEM、EDX和TEM测试结果表明经活化处理后形成手风琴结构的AG, 有利于电解液的浸润; 活性物质硫均匀地负载在AG表面, 同时沉积在AG的层间。电化学测试表明: 在400 mA/g电流密度下, AG/S复合正极材料首次放电比容量为1452.9 mAh/g, 经过200次循环之后, 放电比容量仍保持在909.7 mAh/g; 在1000 mA/g电流密度下, AG/S复合材料首次放电比容量为1309.9 mAh/g, 经过200次循环之后, 放电比容量仍保持在717.1 mAh/g。AG/S复合正极材料的倍率性能、库仑效率和循环性能优异, 这得益于小尺寸的硫在材料中均匀分布, 活化石墨烯优良的导电性以及其结构对硫的固化作用。     

锂离子电池电解液新型锂盐的研究进展

锂离子电池以其优异的性能在电动车、航空和军事领域得到广泛应用.详细阐述了锂离子电池重要组成成分电解质锂盐的研究进展.针对国内外对新型电解质锂盐的研究现状进行综述,并对未来新型锂盐的研究方向作出展望.     

玻璃中PbO含量对太阳能电池正面银浆欧姆接触性能的影响

正面银浆是晶体太阳能电池金属化的关键材料,玻璃中铅组分在达到银浆与硅片良好的欧姆接触中起着重要作用。用TGA-DSC和SEM对无铅玻璃及含铅玻璃特性进行了表征。结果表明,含铅玻璃Tg低,放热量高,溶Ag能力强,在降温过程中析出的银颗粒数量占优、粒径细小、排列规则、分布均匀,因此有较好的欧姆接触。研究了不同PbO含量的玻璃对不同方阻硅片电性能的影响,结果显示,随着硅片方阻的提高,增加玻璃中PbO含量有助于改善与Si发射极的欧姆接触,但PbO含量过高,溶Ag量过大,玻璃对Si发射极腐蚀较深,导致P-N结破坏严重,漏电较大,Voc下降明显。PbO含量在15%～25%,欧姆接触较好,Voc影响较小,故有较好的电池转换效率。     

用于调焦调平测量系统中的硅片表面形貌模型

以硅片表面的平整度(flatness)和硅片表面的全场厚度范围(TTV)等参数为基础,建立了硅片表面的理论形貌模型。根据调焦调平测量系统指标等确定了调焦调平测量系统的有效频带,并设计了相应的滤波器。对硅片表面的理论形貌进行滤波后,得到用于调焦调平测量的硅片表面形貌的模型。由于该模型包括硅片表面在一个曝光视场内的模型和全场模型,并以SEMI标准和ITRS预测的相关参数为基础,因此不受实验条件影响,适用范围广,可用于调焦调平测量系统的模拟测试以及相关光刻工艺的分析。     

电解锰粉制备高纯氯化锰除杂工艺研究

以电解锰粉为原料,与盐酸反应,经过氧化氢除铁、硫化氢除镍铅、重结晶除镍硅硒,制取了高纯度氯化锰。针对实验结果,通过电化学势与化学反应平衡,对杂质的去除过程进行了机理分析。研究表明,通过锰粉置换、水解沉淀和生成难溶物等作用,铁铅磷能去除彻底;对难去除的镍硅硒,经过两次结晶,去除率均在94%以上。最终得到的高纯氯化锰纯度大于99.99%,6种杂质元素（铁、镍、铅、磷、硅、硒）质量分数均小于1.5 μg/g。