排序方式: 共有16条查询结果,搜索用时 15 毫秒
1.
2.
3.
4.
5.
TiO2材料的半导化机理探讨 总被引:7,自引:1,他引:6
研究了表面掺杂和高温烧结对TiO2材料的半导化的影响,结果表明:TiO2材料在高温条件下可产生间隙离子和氧空位;掺入与Ti^4 离子半径相近的V^5 ,Nb^5 ,Mg^2 ,Li^ 等离子可与TiO2生成固熔体,从而增加材料的导电粒子数目,改变了TiO2材料的能带结构,降低材料的固有阻值,使TiO2材料的半导化。 相似文献
6.
7.
8.
9.
用直流腐蚀的方法,在HF溶液中用p型单晶硅[p-Si(100)]制备了单孔φ3 μm×2 μm、总孔容积0.0224 mm3的多孔硅母模。用浸入置换的方法在多孔硅上沉积了Ag、Au、Pd、Pt的催化晶粒层。用化学镀的方法在多孔硅母模上沉积了一层厚约15 μm的Ni镀层,然后用电镀的方法增厚至200 μm,并从多孔硅上超声剥离,得到镍阳模。形貌显示,催化晶粒层只在多孔硅的棱边上沉积,不在孔洞中生长,多孔硅在保持多孔形状的同时,负载了一层贵金属催化剂,可以用来制备集成催化功能的微反应器。镍阳模与多孔硅的结合面是一层带环隙的岛状颗粒,可以用作微换热器。用此方法可以用简单、价廉的工艺制备适用性较广的热集成的贵金属催化微反应器元件。 相似文献
10.