硼预淀积对自组织生长Ge量子点尺寸分布的影响

研究了以不同B2H6流量预淀积硼对UHV/CVD自组织生长Ge量子点尺寸分布的影响。在适当的生长条件下,得到了尺寸分布很窄的均匀Ge量子点,用AFM对量子点的形貌进行观察,Ge量子点尺寸的涨落小于±3%,量子点的水平尺寸和高度分别为60nm和10nm,密度为8×109cm-2。实验结果表明,通过预淀积硼表面处理,可以得到尺寸分布很窄的量子点,以满足量子点光电器件方面应用的要求。     

一种提高吞吐量的SCTP协议改进

根据SCTP协议多宿的特性,提出一种基于可用带宽的Primary destination address选择策略方案,可以提高吞吐量并降低丢包率,在仿真平台NS2上得到了改进算法的验证。     

计及主设备时变状态的变电站短时风险评估方法

传统的变电站风险评估以主设备年平均故障率计算主接线可靠性,不能反映设备时变故障风险及其对负荷点供电的影响。将主设备的运行风险考虑为设备自身状态和外部运行气象环境方面因素的影响,以比例风险模型量化设备运行风险。考虑到基于故障树的设备状态评分的分散性较大,不同部件故障对设备故障停运的影响程度不一样,建立了基于层次分析法的设备状态模糊综合评价方法。在此基础上,以电源进线到负荷点之间的连通性为风险量化指标,建立了计及供电连通性的变电站风险评估模型。以IEEE-RTS79系统的变电站为测试对象,对所提方法的效果进行验证。算例表明:主设备在不同场景下的故障率对变电站风险评估结果影响较大,验证了短时风险评估的必要性和所提方法的可行性。     

向量组线性相关性的两个问题

针对学生在求向量组的最大无关组时容易出错的情况，分析其原因并归纳出求向量组的最大无关组及用最大无关组表出其余向量的两种方法。     

一类具HollingⅢ型功能反应的捕食与被捕食系统模的极限环

研究一类具ＨｏｌｌｏｎｉｇⅢ型功能反应的食与被捕食系统模型（２）式的极限环，得到如下的主要结果：当ｋａ≤ｄ时系统在区域Ｄ＝｛（Ｘ，Ｙ）｜Ｘ≥０，ｙ≥０；ｘ，ｙ∈Ｒ｝上存在极限环，当ｋａ〉ｄ且０〈ａ１〈ａ２〈１时系统在区域Ｄ上存在的唯一稳定的极限环。     

多层Ge量子点的生长及其光学特性

用超高真空化学气相淀积系统在Si(100)衬底上生长了多层Ge量子点.分别用TEM和AFM分析了埋层和最上层量子点的形貌和尺寸,研究了量子点层数和Si隔离层厚度对上层Ge量子点的形状和尺寸分布的影响.观察到样品的低温PL谱线有明显蓝移(87meV),Ge量子点的PL谱线的半高宽度(FWHM)为46meV,说明采用UHV/CVD生长的多层量子点适合量子光电器件的应用.     

基于SiGe/Si的空穴型共振隧穿二极管

用GS400高真空外延设备制备了空穴型双势垒单势阱共振隧道二极管.常温(293K)直流测试数据为PVCR(峰谷电流比)=1.13,Jp(峰值电流)=1.589kA/cm2,对应的低温(77K)脉冲测试数据为PVCR=1.24,Jp=1.086kA/cm2.两种情况下,较低的PVCR可归结为GexSi1-x/Si异质结构本身的能级特性和热效应.     

SiGe HBT发射极台面湿法腐蚀技术研究

在SiGeHBT的制造工艺中,为了防止干法刻蚀发射极台面对外基区表面造成损伤,从而导致SiGeHBT小电流下较大漏电问题,对SiGeHBT发射极台面的湿法腐蚀技术进行了研究。通过改变超声功率、腐蚀液温度,从中获得了较为理想的腐蚀条件。