AgGa0.6In0.4Se2晶体的制备与表征

以高纯单质为原料,按AgGa1-xInxSe2(x=0.4)化学计量配比配料(富1%Se),在双层石英安瓿中,用机械和温度振荡相结合的方法,合成出高纯单相多晶料.差热分析表明,其熔点和凝固点分别为804.3℃和775.6℃.采用带有籽晶袋、内壁镀碳的双层石英安瓿,用改进的垂直布里奇曼法生长出尺寸为Ф20 mm×60mm、结构完整.的AgGa0.6In0.4S2单晶体.经X射线衍射仪和红外分光光度计等分析表明,晶体为黄铜矿结构,晶格常数为a=0.602 32 nm,c=1.118 33 nm,其显露面和易解理面为(112)面;厚度约为2 mm的晶片在波长0.836-19.65μm 范围内透过率接近或超过60%,禁带宽度约为1.48 eV.结果表明,改进方法生长的AgGa1-xInxSe2晶体的结构完整,光学质量高,可用于中远红外非线性光学器件制备.     

天然鳞片石墨制备可膨胀石墨的工艺研究

以攀枝花天然鳞片石墨为原料,高锰酸钾和双氧水为氧化剂,硝酸、硫酸和高氯酸作为插层剂,制备膨胀石墨。实验发现较佳的膨化温度为950 ℃,并以此温度制备膨胀石墨。结果显示,以双氧水和硫酸制备的膨胀石墨其膨胀容积为130.97~221.80 mL/g;以高锰酸钾和硝酸制备的可膨胀石墨其膨胀容积为150.65~247.19 mL/g;以高锰酸钾和高氯酸制备的膨胀石墨,在干燥温度和时间分别为50 ℃和4~5 h时膨胀容积可达300 mL/g以上。实验还采用XRD和SEM对制备的膨胀石墨结构和形貌进行分析,测试结果发现膨胀石墨的结构完整,可用于进一步制备复合相变材料。     

线性菲涅耳集热器接收器对镜场的遮挡研究

带有二次反射器的线性菲涅耳聚光集热器,虽然其接收器表面的能量分布更均匀,但也增加了接收器对反射镜场的遮挡。本文采用理论计算和模拟两种方式对已设计的线性菲涅耳集热器二次反射器对镜场的遮挡情况进行分析,先通过理论计算得出二次反射器对西边三块初级反射镜遮挡角θni的范围,然后利用光线追踪软件模拟出安装和不安装二次反射器两种情况下到达初级反射镜的光线数目,根据光线数目变化情况得出西边三块反射镜的遮挡角变化范围分别为70º ~ 90º、54º ~ 72º和42º ~ 58º,同时引入光线损失率来衡量二次反射镜对镜元遮挡的影响,结果得出安装二次反射器后镜元光线损失率最大值达到23.53%。     

盐酸浸出高钛渣收尘灰提钛研究

攀枝花——西昌地区有许多钢厂,在还原铁的过程中,钛以高钛渣的形式富集,同时产生大量的尘灰从高炉飘出。尘灰中的钛含量相当可观,如果不收集起来加以充分利用,会造成资源浪费,这些尘灰飘到大气中,造成的环境污染也比较大。文章利用盐酸浸出高钛渣尘灰,实现高钛渣收尘灰综合利用,盐酸可以实现循环利用,大大减少"三废"量。实验主要研究了盐酸浓度,酸灰比,酸浸温度,酸浸时间对酸浸灰中钛含量的影响。结果表明:不经还原直接酸浸,需要浓酸才能溶解尘灰中的Fe2O3,当盐酸浓度为12 mol/L,酸灰比为1.5,酸浸温度为100℃,酸浸时间为5 h,酸浸灰中的钛含量可以达到39.71%。     

《现代材料分析测试技术》实验教学的实践与改革初探

现代材料分析测试技术实验课程具有授课内容丰富、学习难度较大、实用性强等特点,传统的实验教学模式不适合本课程的实验教学。通过结合现代材料分析测试技术实验课的教学经验,对课程现状进行分析,并结合应用型本科院校培养目标提出存在问题的解决策略,以拉曼光谱实验为例,探讨如何增加学生参与度及学习兴趣、提高实验教学的实践性及教学质量,为今后实验教学提供一定的参考。     

顺丁烯二酸酐水解条件研究

目前,顺丁烯二酸酐的产量处于过剩状态,如何解决顺酐产量过剩的局面,一直是我们所面临的问题。利用顺酐臭氧化法生产乙醛酸就是一个较好利用顺酐的途径。顺酐水解是否彻底,对提高乙醛酸产率有着非常重要的作用,本研究通过测定不同条件下顺丁烯二酸酐水解率,考查了顺丁烯二酸酐质量分数、水解时间、水解温度等参数对水解率的影响,对水解产品进行了熔点测定和红外光谱分析。结果表明,顺丁烯二酸酐质量分数为20%,水解温度60℃、水解时间为2.5 h、顺酐水解率大于99.8%,熔点显示为顺酸熔程;红外光谱表明水解产物为顺酸。     

磁控溅射法制备SnS薄膜的结构和光学性能

利用磁控溅射法在FTO玻璃上制备了Sn S薄膜。采用X射线衍射仪、扫描电子显微镜和紫外可见分光光度计对不同溅射参数下制备的Sn S薄膜的晶体结构、表面形貌和光学性能进行研究,确定出制备Sn S薄膜的最优溅射参数。结果表明:溅射功率为28 W,沉积气压在2.5 Pa时,制备出的Sn S薄膜在(111)晶面具有最好的择优取向,薄膜微观形貌呈单片树叶状,晶粒粒径约370 nm,晶粒分布均匀,薄膜表面光滑致密;最优溅射参数下制备的Sn S薄膜的吸收系数可达到105cm-1,比其他方法制备的Sn S薄膜的吸收系数值高,禁带宽度为1.48 e V,与半导体太阳能电池所要求的最佳禁带宽度(1.5 e V)十分接近。