基于JSP的移动开发技术论坛的设计与实现

本文讨论基于B/S模式的一种JSP论坛的设计与实现。完成的功能模块包括用户注册,浏览板块,发帖,回帖等,管理员编辑,删除等管理帖子功能,管理管理员用户功能等。     

用于高压ESD防护的高维持电流SCR器件

静电释放(ESD)是指电荷在两个电势不等的物体之间转移的物理现象,它存在于人们日常工作生活的任意环节。随着集成电路特征尺寸不断减小、集成度不断增高,芯片对ESD也变得越来越敏感。为了用尽可能小的版图面积来实现ESD防护,利用晶闸管结构(SCR)来实现集成电路的ESD防护已成为当下的研究热点。但传统SCR的维持电压和维持电流都很低,若直接将其应用于电源ESD防护则会导致严重的闩锁效应(latch-up)。基于高维持电流设计窗口,提出一种可用于15 V电路的抗闩锁SCR器件,并通过混合仿真验证了该器件的有效性。     

玻璃钢管体螺纹磨削机器人控制策略研究

针对玻璃钢管体螺纹磨削机器人作业时对力和位置控制的要求,建立了机器人动力学约束模型,通过对磨削力的建模与分析,采用基于自适应算法的阻抗控制方式。该方法基于机器人和工作对象之间相互作用的分析,实时校正力的参考值,保证机械臂末端的实际作用力能够稳定跟踪期望的磨削作用力。这种方法对因外界环境等未知因素而产生的扰动和误差具有良好的鲁棒性,而且计算量小。基于上述方法,建立机械臂系统的动力学控制器。通过磨削仿真证明该方法具有良好的稳定性,能够满足并符合对机器人实时控制的要求。     

树脂基复合材料内外协同固化工艺仿真与分析

在采用传统内固化工艺对厚壁壳体成型时,内层温度往往不足以满足其固化要求或者加热时间过长,因此通常采用多次缠绕多次固化的成型工艺,耗能高、效率低,不但大大提高了成本,也难以保证产品质量。因此本文提出了内外协同固化新工艺并介绍其原理,建立纤维树脂复合材料厚壁壳体内外协同固化过程的传热模型和固化动力学模型,通过有限元软件ANSYS和APDL语言开发内外协同固化过程数值模拟程序,实现了厚壁壳体内外协同固化过程中温度和固化度的分布及其变化规律的数值模拟研究。对新工艺的数值模拟结果表明,随着外温和预热温度的不断增大,中心节点的温度、固化度和应变波动较大;厚壁壳体内外协同固化的时间很短,是传统固化时间的1/3。     

毫米波三基线InSAR系统误差校正和信号分析

该文研究了毫米波三基线InSAR系统误差校正问题,给出了系统误差校正方案,以实现三通道信号间的幅相一致性。分析了脉冲压缩处理的效果、通道间的干扰影响、系统相位稳定性、慢时间频谱、幅相一致性程度。给出了三基线干涉测角去模糊的方法以及地面测试实验方案。地面实测数据的处理和分析结果,验证了该文方法的有效性,并检验了该毫米波三基线InSAR的系统性能。     

内嵌SCR的LDMOS器件双骤回ESD特性研究

基于寄生参数分析,对内嵌SCR的LDMOS器件给出了二次骤回发生判据。本文对三种典型结构进行了数值仿真和比较,并基于此判据仿真优化了影响二次骤回的器件结构参数,从而提高器件ESD性能。TLP试验数据表明,当二次骤回电压由25.4V降低到8.1V时,器件ESD泄放能力由0.57A提高到3.1A。     

共源共栅两级运放的三种补偿结构分析和比较

提出了三种应用于两级CMOS运算放大器的米勒电容补偿结构,分析了三种结构的小信号等效电路,得到传递函数和零点、极点的位置,以此分析和实现三种结构的频率补偿。其中两种共源共栅米勒补偿结构与直接米勒补偿结构相比,能用更小的芯片面积实现更优的运放性能,得到更大的单位增益带宽积和相位裕度,实现更好的频率特性。通过使用0.18μm CMOS工艺对电路进行仿真,结果验证了共源共栅米勒补偿技术的优越性。     

局域寿命控制NPT-IGBT瞬态模型

提出了局域寿命控制下NPT-IGBT的瞬态模型,并与数值分析结果进行了对比,验证了模型的正确性.该模型采用了准静态近似,将关断过程分为快速下降阶段和缓慢下降阶段分别加以求解而得到.基于该模型,详细讨论了局域低寿命区参数对关断时间的影响.该模型将有助于理解局域寿命控制NPT-IGBT的关断过程物理图像,同时也可以用于指导该类器件的设计和优化.文中所采用的分析方法具有一定的普适性,其他类似结构和器件亦可采用此方法进行分析.     

1200V MR D-RESURF LDMOS与BCD兼容工艺研究

提出具有p埋层的1200V多区双RESURF(MR D-RESURF) LDMOS, 在单RESURF(S-RESURF)结构的n漂移区表面引入多个p掺杂区,并在源区下引入p埋层,二者的附加场调制器件原来的场,以改善其场分布;同时由于电荷补偿,提高了漂移区n型杂质的浓度,降低了导通电阻.开发1200V高压BCD(BJT,CMOS,DMOS)兼容工艺,在标准CMOS工艺的基础上增加pn结对通隔离,用于形成DMOS器件D-RESURF的p-top注入两步工序,实现了BJT,CMOS与高压DMOS器件的单片集成.应用此工艺研制出一种BCD单片集成的功率半桥驱动电路,其中LDMOS,nMOS,pMOS,npn的耐压分别为1210,43.8,-27和76V.结果表明,此兼容工艺适用于高压领域的电路设计中.