硼泥基烧结砖工艺实验研究

目的为了解决辽宁省硼工业废弃硼泥污染环境、浪费资源问题，研制新型建材使硼泥得到有效利用．方法以硼泥、粉煤灰、铁尾矿为原料，利用工业马弗炉采用正交实验的方法研究硼泥基烧结砖的烧结工艺参数．结果得到原料的最佳质量配比为4：2：4：最佳工艺为塑性成型压力20MPa、最高烧成温度1100℃．对烧结砖试样的测试结果表明本工艺烧结砖的强度高于MU15的普通黏土砖；保温性能优于普通黏土砖．结论烧结工艺使硼泥掺入量提高到了40％，为硼泥的大量利用、解决环境问题开辟了一条新的途径．     

4H-SiC MESFET直流I-V特性解析模型

提出了一种改进的4H-SiC MESFET非线性直流解析模型,基于栅下电荷的二维分布,对该模型进行了分析,采用多参数迁移率模型描述速场关系.在分析了电流速度饱和的基础上,考虑沟道长度调制效应对饱和区漏电流的影响,建立了基于物理的沟道长度调制效应模型,模拟结果符合高场下漏极的MC(蒙特卡罗)计算的结果.与以前的研究模型相比较,结果说明了该研究的有效性,饱和电流的结果与实测的Ⅰ-Ⅴ特性更加吻合.     

4H-SiC MESFET直流I-V特性解析模型

提出一种改进的4H-SiC MESFET非线性直流解析模型,该模型基于栅下电荷的二维分布进行分析,在分析电场相关迁移率、速度饱和的基础上,考虑沟道长度调制效应对饱和区漏电流的影响,建立基于物理的沟道长度调制效应模型,模拟结果与实测的I-V特性较为吻合。在器件设计初期,可以有效地预测器件的工作状态。     

关于DF4、DF8B型机车实行部分状态修的探讨

论述了内燃机车实行状态修的可行性,并从检修管理、状态检测、技术管理等方面叙述了实行状态修的具体做法,总结了实行状态修后的效果.     

4H-SiC MESFET直流Ⅰ-Ⅴ特性解析模型

提出了一种改进的4H-SiC MESFET非线性直流解析模型,基于栅下电荷的二维分布,对该模型进行了分析,采用多参数迁移率模型描述速场关系.在分析了电流速度饱和的基础上,考虑沟道长度调制效应对饱和区漏电流的影响,建立了基于物理的沟道长度调制效应模型,模拟结果符合高场下漏极的MC(蒙特卡罗)计算的结果.与以前的研究模型相比较,结果说明了该研究的有效性,饱和电流的结果与实测的Ⅰ-Ⅴ特性更加吻合.