颗粒硅带多晶硅薄膜太阳电池的研制

以工业硅粉为原料制备出颗粒硅带（SSP），对颗粒硅带表面形态进行了分析。以SSP为衬底，采用快速热化学气相沉积（RTCVD）法生长多晶硅薄膜，并以此制作出效率为2．93％的颗粒硅带多晶硅薄膜太阳电池，这在国内属首先。并报道了对以SSP为衬底的多晶硅薄膜太阳电池的初步研究结果，同时讨论了该类电源的结构、工艺特点和改进措施。     

GaAs太阳电池帽层腐蚀研究--GaAs/AlGaAs薄膜体系的选择性腐蚀

由ｐ＋－ＧａＡｓ帽层和ｐ－ＡｌｘＧａ１－ｘＡｓ（ｘ＝０·８—０．９）窗口层构成的异质薄膜体系是ＧａＡｓ太阳电池器件中的常规结构。对该异质结构的只腐蚀ＧａＡｓ而不腐蚀ＡｌＧａＡｓ的选择性腐蚀工艺是ＧａＡｓ太阳电池制备过程中的一道关键工序。针对传统腐蚀工艺中出现的腐蚀后露出的ＡｌＧａＡｓ表面呈现彩色的问题,从改进腐蚀液配方角度,围绕通常采用的氨水－双氧水（ＮＨ４ＯＨ－Ｈ２Ｏ２）腐蚀液体系,对该问题作了深入细致的专门研究,并与柠檬酸－双氧水（Ｃ６Ｈ８Ｏ７－Ｈ２Ｏ２）和柠檬酸－柠檬酸钾－双氧水（Ｃ６Ｈ８Ｏ７－Ｋ３Ｃ６Ｈ５Ｏ７－Ｈ２Ｏ２）腐蚀液体系作对比,最终得到了较满意的氨水－双氧水－磷酸（ＮＨ４ＯＨ－Ｈ２Ｏ２－Ｈ３ＰＯ４）新腐蚀液体系。这种腐蚀液体系不仅可在较宽的溶液浓度范围内实现对高Ａｌ组分ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ异质结构的选择性腐蚀,而且也不会对露出的ＡｌＧａＡｓ外观产生明显影响     

GaAs和AlGaAs掺碳MOVPE生长技术进展

Ｃ作为ＩＩＩ－Ｖ族半导体中常用的ｐ型掺杂剂，由于它的掺杂浓度极限高和扩散系数低，逐渐引起人们的关注，并在许多应用中显示出潜力而有望代替常规的ｐ型掺杂剂，如Ｚｎ和Ｂｅ，根据近期研究成果，对采用ＭＯＶＰＥ技术生长的掺ＣＧａＡｓ和ＡｌＧａＡｓ性能研究中的若干方面给予了系统介绍和讨论，在此基础上对其应用作了总结，并对今后工作提出了几点建议。     

MOVPE法生长AlGaAs过程中Al分配系数的动力学研究

从固态组分控制方面,对ＡｌＧａＡｓ的常压金属有机物气相外延（ＡＰ－ＭＯＶＰＥ）生长技术进行了研究．首先,在假定体系中所涉及气体为理想气体的前提下,经理论推导,给出了ＡｌＧａＡｓＡＰ－ＭＯＶＰＥ生长过程中控制参数和Ａｌ在固、气相间的分配系数ｋＡｌ之间的关系式．之后,依据该关系式分析实验数据,并对ｋＡｌ的动力学行为规律进行了研究．结果表明,ｋＡｌ值大小与ＡｌＡｓ和ＧａＡｓ的生长效率（单位ⅢＡ族原子输入量下材料的生长速率）之比Ｋ的大小有关：ｋＡｌ随Ｋ的增加而增大;当Ｋ＞１时,ｋＡｌ＞１,当Ｋ＜１时,ｋＡｌ＜１,     

有机添加剂在磷化液中的应用

1 前言 在众多的金属表面转化处理工艺中,磷化处理以其工艺简单、易操作、成本低、种类多而广泛应用于涂装前处理、防锈、减摩润滑、冷加工、电绝缘等领域。 磷化液的基本组份是磷酸和各种磷酸盐,这是形成磷化膜的基本物质来源;此外还加入了各种添加剂。为提高和拓展磷化膜的性能,降低处理费用、改进工况条件,多年来,人们除了从操作方式、处理工序、工艺条件等方面积极探索外,更多地围绕磷化添加剂进行应用研究。 最初,人们将注意力主要集中在无机添加剂上,它们不仅价格低廉,而且效果明显,较好地满足了当时人们对磷化处理的一些初步要求,如加快成膜速度。但无机物的种类毕竟有限,且作用较为单一,在操作和     

MOVPE法生长AlGaAs过程中Al分配系数的动力学研究

从固态组分控制方面，对AlGaAs的常压金属有机物气相外延(AP-MOVPE)生长技术进行了研究.首先，在假定体系中所涉及气体为理想气体的前提下，经理论推导，给出了AlGaAsAP-MOVPE生长过程中控制参数和A l在固、气相间的分配系数kAl之间的关系式.之后，依据该关系式分析实验数据，并对kAl的动力学行为规律进行了研究.结果表明，kAl值大小与AlAs和GaAs的生长效率(单位Ⅲ A族原子输入量下材料的生长速率)之比K的大小有关：kAl随K的增加而增大；当K＞1时，kAl＞1，当K＜1时，kAl＜1，实际情况以前者居多；只有当K＝1时才kAl＝1.此外，生成GaAs和AlAs的表观反应活化能Ea1和Ea2的不同会导致K，进而kAl随生长温度发生变化：当Ea1，＞Ea2时，kAl随生长温度的升高而减小，当Ea1＜Ea2时，kAl随生长温度的升高而增大，论文得到的结果属后种；只有当Ea1＝Ea2时，kAl才不随生长温度发生变化.再者，kAl还会随Al在气相Ⅲ A族原子中的原子百分含量xVAl的增加而减小.