关于建设项目环境管理中防护距离设置的探讨

设置防护距离是建设项目环境管理的重要手段。本文从定义、设置前提、计算方法等角度对比分析环境影响评价过程中采用的各种防护距离依据。针对环境管理中落实防护距离出现的多头管理、三同时落实难度大等问题,提出建设项目防护距离设置原则与建议。     

电解铜箔表面处理技术及添加剂研究进展EI北大核心CSCD

随着5G通讯、新能源汽车等高端产业的发展,对电解铜箔产品性能提出更高的要求。表面处理技术是铜箔生产中极为重要的一项工艺技术,是解决铜箔绿色环保生产和获得高性能电解铜箔的主要途径。本文从国内外铜箔研究现状出发,归纳了包含粗化、固化、合金化、钝化、硅烷化等工艺流程的表面处理技术,并对每道工序中电解液的成分以及电沉积的影响因素进行分类总结,综述了粗化工序中添加剂的分类及研究现状与技术进展,重点阐述了包括晶粒细化剂、整平剂、光亮剂、表面活性剂与无机盐等各添加剂的作用机理及其对铜箔组织形貌和性能变化的影响规律,展望了我国铜箔的发展方向,为我国自主开发高性能铜箔生产技术提供参考。     

楔形刃切削具及其保锐性能

一、保锐现象及其特殊意义我们曾用两种楔形刃硬质合金片(T408和C120)镶焊φ82mm绳索取心钻头(主要用作掏槽刃,也用作扩槽刃)。使用时发现,这类切削具在钻进软和中硬     

虚拟仿真技术在GMP实训教学中的应用

《药品生产质量管理规范》(GMP)课程是高校培养药学及中药学类专业应用型人才重要的专业基础课程之一。但由于GMP教学内容涉及药品生产的多个环节和较多设备及人员管理,GMP实训教学因场地、设备、安全等因素实际很难开展。为了有效开展GMP实训教学,本文对虚拟仿真技术在GMP实训教学中的应用进行了相关探讨。     

脉冲对InGaZnO薄膜晶体管性能的影响

超大尺寸IGZO(InGaZnO)产品在高温高湿(50℃/80%)信赖性评价中易发生异常显示不良(Abnormal Display,AD)。其不良原因主要是集成栅极驱动电路(Gate Driver On Array,GOA)的关键器件M2转移特性曲线(I_DS-V_GS)在评价中发生了严重正移。本文通过脉冲实验,模拟GOA关键器件M2的实际工作环境,重现了转移特性曲线严重正移的不良现象。通过设置不同的脉冲实验,揭示了造成不良的主要影响因素：M2器件关闭时,漏极与源极之间的压差V_DS过大,使IGZO膜层内的氧空位V_O⁺在电场作用下同时向IGZO与GI(Gate Insulator)的边界及源极端迁移,由于氧空位V_O⁺对电子的捕获作用,最终导致转移特性曲线发生正移,并发现迁移的氧空位V_O⁺经过加热后可以复原。此外,在不改变IGZO成膜条件下,通过减小M2器件关闭时的V_DS压差,...     

一种抑制同步开关噪声的改进总线翻转编码方法

提出了一种改进总线翻转编码方法,用于抑制高速集成电路系统中的同步开关噪声.该方法可以显著减少总线平均翻转比特位数,同时尽可能使总线相邻位保持奇模传输,有利于改善信号完整性.利用FPGA实现了提出的改进总线翻转编码模块.物理实验表明,相对总线翻转编码,该方法以功耗稍有增加的代价,可取得平均翻转数量减少15.17%、电源波动噪声减小22.34%的编码增益.     

QDR SRAM控制器的设计与FPGA实现

介绍一种新型静态存储器——QDR（Quad Data Rate）SRAM的存储器结构、与系统的接口连接、主要的操作时序。参考实际QDR存储器内部组成。利用FPGA实现存储器控制器的设计实现。旨在通过FPGA的快速、灵活、容易修改的特点，设计并实现在高速数据通信系统中，QDR静态存储器用于处理器和接口连接的外设之间的数据交换。着重分析QDR控制器的读／写操作状态机。