使用內置線性器並配合共平面波導設計高線性5.2GHz功率放大器電路研製

本論文主要在分析和設計一種內置線性器去改善功率放大器的線性度,功率放大器其製程技術是使用AlGaAs/InGaAs 0.15μm D-mode pHEMT (砷化鎵鋁/砷化鎵銦增強式異質接面場效應電晶體)元件,電路設計的中心頻率在5.2GHz,以兩級cascade的架構,其操作偏壓點於Class A 和Class AB之功率放大器。內置線性器功率放大器的設計使用ADS軟體分析與模擬。並使用測量儀器HP-8510C網路分析儀分別測量出反射損耗(S11)為-15dB,功率增益(S21) 為15 dB、輸出功率為13.3 dBm、功率附加效率(PAE) 21%和IIP3 為 1.4 dBm、 OIP3約22.5 dBm,綜合5.2 GHz 內置線性器功率放大器可增加高頻增益、輸出功率、功率附加效率和線性度等特性,非常適用於微波微波積體電路功率放大器通訊應用價值。     

A Ka-band low-noise amplifier with a coplanar waveguide(CPW)structure with 0.15-μm GaAs pHEMT technology

This investigation explores a low-noise amplifier(LNA) with a coplanar waveguide(CPW) structure,in which a two-stage amplifier is associated with a cascade schematic circuit,implemented in 0.15-μm GaAs pseudomorphic high electron mobility transistor(pHEMT) technology in a Ka-band(26.5-40.0 GHz) microwave monolithic integrated circuit(MMIC).The experimental results demonstrate that the proposed LNA has a peak gain of 12.53 dB at 30 GHz and a minimum noise figure of 3.3 dB at 29.5 GHz,when biased at a V_(d...     

使用0.15微米砷化鐌高速電子遷移率電晶體技術配合共平面波導結構研製Ka頻帶低雜訊放大器

本篇論文研究使用串接電路與共平面波導結構配合0.15微米砷化鐌高速電子遷移率電晶體技術研製Ka(26.5 - 40.0 GHz)頻帶低雜訊放大器。研究結果顯示電晶體偏壓在Vds=2V、Vgs= -0.6V時,在30GHz得到增益12.53dB和29.5GHz得到雜訊3.3dB,實驗得到此技術具有寬頻、高增益與氐雜訊特性,非常適用於毫米波積體電路應用。     

材料工艺因素对凸轮挺柱擦伤失效的影响

本文讨论了凸轮挺柱擦伤失效的机理及其模拟试验结果。研究表明,在较软的金属基体上均布着一定形状、一定数量的硬质相以及石墨,特别是片状石墨的金相组织,能有力地改善抗擦伤性能;摩擦副一方经磷化处理、硫浴处理和氮化处理能显著地改善抗擦伤性能;凸轮的硬度必须低于挺柱硬度,其硬度差随材料工艺不同而异;冷激铸铁挺柱经淬火处理增加擦伤倾向,故淬火后的冷激铸铁挺柱必须施行抗擦伤表面处理。本文还列出了各种材料工艺匹配的凸轮挺柱摩擦副的临界擦伤接触应力。