排序方式: 共有23条查询结果,搜索用时 0 毫秒
1.
High power switch is one of the most important components in pulsed power technology. The RSD (Reversely Switched Dynistor), turned on by a thin layer of an electron-hole plasma, is a high power semiconductor switch. In this study, the RSD turn-on conditions were investigated by numerical analysis and device simulation as well as the experiments conducted to validate the turn-on conditions. A design of a triggering high-voltage RSD is presented based on a saturable transformer. 相似文献
2.
We established a model for investigating polycrystalline silicon (poly-Si) thin film transistors (TFTs). The effect of grain boundaries (GBs) on the transfer characteristics of TFT was analyzed by considering the number and the width of grain boundaries in the channel region, and the dominant transport mechanism of carrier across grain boundaries was subsequently determined. It is shown that the thermionic emission (TE) is dominant in the subthreshold operating region of TFT regardless of the number and the width of grain boundary. To a poly-Si TFT model with a 1 nm-width grain boundary, in the linear region, thermionic emission is similar to that of tunneling (TU), however, with increasing grain boundary width and number, tunneling becomes dominant. 相似文献
3.
21世纪人类将进入高度信息化社会,同时也可以说是一个高度由能量支配的社会.因此,能源、资源和地球环境问题成为突出的问题,并演变成为一种危机.…… 相似文献
4.
由大电流硅绝缘栅双极型晶体管(Silicon Insulated-Gate Bipolar Transistor,Si IGBT)和小电流碳化硅金属-氧化物-半导体场效应晶体管(Silicon Carbon Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,SiC MOSFET)并联构成的Si/SiC混合开关具有低成本、高效率的特点. Si/SiC混合开关门极关断延时的控制是提高混合开关效率的关键因素.本文首先研究了在不同工作电流下Si/SiC混合开关关断损耗随门极关断延时的变化,结果表明,Si/SiC混合开关有一个最优的关断延时,此时混合开关的关断损耗最低,并且最优门极关断延时随混合开关工作电流的增大而减小.将所得到的Si/SiC混合开关最优门极关断延时应用在单相全桥逆变器中,实验结果表明,逆变器的转换效率比同等条件下固定关断延时的最高转换效率提高了0.67%. 相似文献
5.
6.
7.
从大注入半导体物理的基本理论推导得到了反向开关复合管(RSD)工作的基本物理方程.通过考虑大注入和强电场效应,建立了RSD以pnn+二极管方式工作于反向预充阶段,以pin二极管方式工作于正向导通阶段的物理模型.采用有限差分法把器件工作的偏微分方程转化为差分方程,并将相应的边界条件转化为精度较高的离散化形式.结合RSD工作的典型电路建立电路方程组,采用Runge-Kutta方法求解,由非平衡载流子分布得到了RSD的电压、电流波形.通过RSD的放电实验与模型计算进行比较,分析了误差产生的原因,论证了物理模型本身及数值方法的合理性.通过应用电路说明了模型及算法的实用价值.物理模型和数值方法对于RSD器件设计及仿真电路的开发具有指导意义. 相似文献
8.
9.
提出了一种新型的自供电固态断路器,该断路器采用常通型碳化硅(SiC)结型场效应晶体管(JFET)作为主开关,正常工作时无需外加驱动电压,采用无需额外电源供电的自激式反激变换器探测短路故障信号,并在较短的时间内输出与输入电压极性相反的电压驱使常通型SiC JFET关断。分析了自供电固态断路器的工作原理,利用电路仿真软件验证了所提自供电固态断路器的有效性。采用10只SiC JFET并联作为断路器的主开关,在没有电流转移和能量吸收支路的情况下,当直流偏置电压为200 V,实验验证了所组建的自供电固态断路器开断了960 A的短路故障电流。 相似文献
10.
利用半导体器件仿真软件研究了钒掺杂半绝缘碳化硅(SiC)光导开关(PCSS)在电容放电电路中的瞬态特性。在非故意掺杂氮浓度为1×1014 cm-3、硼浓度为1×1011 cm-3和电容初始电压为1000 V的条件下,当钒浓度为1×1012 cm-3时,电路在初始阶段有一个完整的振荡脉冲电流,随后存在较大的泄露电流,当光导开关受到波长为532 nm、功率为2400 W/cm2激光的激发时,电容放电形成幅值约为88 A的陡峭脉冲电流,激光结束后电路还有较大的拖尾电流。随着钒浓度增加到1×1014 cm-3,初始阶段的振荡电流消失,漏电流和拖尾电流均减小,受到激光激发时所形成的脉冲电流幅值约为8 A,而钒浓度增加到1×1017 cm-3时,幅值减小到2.5 A。 相似文献