排序方式: 共有15条查询结果,搜索用时 0 毫秒
1.
2.
3.
随着材料科学的进步,碳化硅(SiC)-金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)已可以实现高压、高功率运行。相比于传统硅(Si)材料,SiC材料具备低开关损耗、低导通电阻、宽禁带及高热导率。使用SiC-MOSFET代替传统Si-绝缘栅双极型晶体管(IGBT)功率器件,可降低地铁牵引逆变器(INV-BOX)的体积、重量,实现更高的功率密度。通过对SiC-MOSFET模型的分析,着重解决SiC-MOSFET器件的高频驱动问题及在高功率运行过程中产生的电磁干扰问题,为下一步SiC-MOSFET的批量运用提供技术积累。 相似文献
4.
5.
针对加速度在合成孔径雷达运动目标检测中会产生三次相位影响静止目标抑制和参数估计精度的问题, 提出基于三次相位补偿的参数估计方法. 在分析信号模型的基础上, 通过在时间-调频率平面内采用类似Dechirp和一维搜索的方法实现三次相位的补偿; 完成相位补偿后, 为克服某些时频分布中峰值重叠可能带来的目标丢失问题, 利用改进的分数阶傅里叶变换方法进行运动目标参数估计, 并给出了具体的参数估计方法. 最后, 计算机仿真验证了该方法的正确性和有效性. 相似文献
6.
7.
8.
9.
10.