光诱导镀改善太阳电池填充因子的研究

本文采用常规的太阳电池工艺制备了一批单晶硅电池片,退火后得到了填充因子迥异的结果。比较了光诱导镀前后电池参数尤其是串联电阻,并分析了光诱导镀提升填充因子的机理。利用扫描电镜（SEM）观察了去除体银后的微观结构,证明了差填充因子太阳电池在光诱导镀后填充因子的提高得益于烧结中形成的银晶粒的充分利用。文中还提出了将光诱导镀应用于接触电阻较大的电池,如纳米柱电池和径向结电池的可能性。     

银硅纳米颗粒用于制备晶体硅太阳电池超高效陷光的研究

研究了制备硅纳米结构的方法,与之前的方法相比,本研究中的AgSi纳米颗粒能控制形成硅纳米结构的直径和深度,同时不需要光刻、反应离子刻蚀等高成本的复杂工艺.实验结果表明,将制备的硅纳米结构作为晶硅电池的绒面,在300～ 1000nm的波长范围内获得了低达5％的反射率;电池的表面复合与电极接触需要改进.     

超小绒面硅基太阳能电池电学性能的数学模拟分析

在充分考虑纳米柱结构太阳能电池的几何特性与低反射率特性的基础上,建立了硅基纳米柱太阳能电池的数学模型,分析了电池单元纳米柱的长度、硅衬底缺陷密度以及表面空穴的复合速率对纳米柱太阳能电池的开路电压、短路电流以及转换效率的影响。结果表明：在纳米柱电池设计制作过程中,低反射率仅是高性能电池的关键因素之一;电池纳米柱的最佳长度...     

Blue top-emitting organic light-emitting devices using Alq3 as phase shift adjustment layer

Blue top-emitting organic light-emitting devices (TEOLEDs) are demonstrated by employing Alq3 as phase shift adjustment layer (PSAL) to increase the phase shift on reflection of the top electrode within a range, which also improves the light out-coupling. By adjusting the thickness of PSAL, the CIEx,y of devices, which utilize 2, 7-Di-pyrenyl-9, 9-spiro-bifluorene (DPSF) as emitting layer, changes from (0.16, 0.50) to (0.18, 0.37). The maximum current efficiency of 7.1 cd/A is acquired under 4.5 V with an increasing luminance of 139 cd/m2. Compared with adjusting the total thickness of organic layer, it is more beneficial for achieving blue TEOLEDs with high efficiency.     

用于高效硅太阳电池的原子层沉积Al2O3表面钝化特性研究

系统研究了采用热-原子层沉积技术生长的Al2O3对p型晶体硅的表面钝化特性.Al2O3膜层的钝化质量通过采用微波光电导衰减的方法证明Al2O3介质层可提供优异的表面钝化效果.此外,通过采用C-V技术和椭圆偏振光谱测试技术对Al2O3介质层的表征证明,除了薄膜层中的负固定电荷,Al2O3介质层的H的含量在钝化效果中起着关键作用.     

MWT和EWT背接触太阳电池结构及其技术发展

主要介绍了两种高效前结背接触太阳电池即金属电极绕通(metal wrap through,MWT)太阳电池和发射极电极绕通(emitter wrap through,EWT)太阳电池的基本结构以及其关键技术构成。这两种太阳电池是目前较为高端的两种电池类型,单个电池效率能达到20%左右,组件效率能达到17%,其主要优点在于实现了共面拼装和减小了正面遮光损耗,可以应用于大规模生产。针对MWT和EWT两种电池的一些关键技术,总结了两种电池的技术共性,如激光打孔、制绒、扩散、钝化和表面电极制备等工艺,提出了其各项关键技术存在的问题并进行了发展展望。     

Al2O3对晶硅电池的表面钝化研究

采用原子层沉积(Atomic layer Deposition,ALD)工艺制备了Al2O3,并对晶硅电池的表面进行钝化。通过与采用传统热氧化SiO2钝化的p型晶硅电池相比较,采用Al2O3钝化后晶硅太阳电池开路电压可提高5%。在未经制绒处理的情况下,短路电流可提高17.4%。通过对不同钝化技术下晶硅电池少子寿命变化以及发射区方阻变化的分析,采用原子层沉积工艺制备的Al2O3不仅能对晶硅电池表面实现良好钝化,还可避免高温氧化工艺对电池发射区的影响。     

硅基有机发光微显示像素驱动电路设计

由于微型显示像素面积的限制,硅基有机发光微显示像素驱动电路需要实现足够小的驱动电流.文章提出的三管电压控制型像素驱动电路与常规的采用电流镜电路的电流控制型像素驱动电路都能实现微显示所需的小电流驱动.利用Synopsys公司的H-spice软件对两种电路仿真比较,发现电流控制型电路具有线性灰度和较宽的有效灰度范围,但是通过调整电压控制型电路中与OLED并联的晶体管的宽长比,即可使其有效灰度范围与电流控制型电路可比.同时也发现电流控制型电路的功耗是电压控制型电路的4倍以上,且电路形式较复杂,工艺要求较高.所以三管电压控制型电路更适合于硅基有机发光微显示驱动电路.     

多晶硅电池叠层抗反射层的设计研究

根据多晶硅电池对表面抗反射薄膜设计的需要,基于薄膜反射特征导纳矩阵理论结合电池的背底反射,建立了完善的表面反射和电池吸收计算模型,在已知薄膜复折射率的前提下可给出反射率的精确计算结果.利用该计算模型,设计了多种表面反射结构,其中硅量子点镶嵌氮化硅与二氧化硅组成的双层抗反射薄膜,在AM1.5光谱下其积分反射率最低可达到4.38％；分析了不同硅量子点体积比对于该双层抗反射膜的影响,系统给出了实际生长该双层抗反射层的具体参数,即富硅氮化硅中的Si:N=1:1时即可达到较好的表面抗反射效果.     

第12届中国光伏大会暨国际光伏展览会论文选登 多晶硅电池叠层抗反射层的设计研究

根据多晶硅电池对表面抗反射薄膜设计的需要,基于薄膜反射特征导纳矩阵理论结合电池的背底反射,建立了完善的表面反射和电池吸收计算模型,在已知薄膜复折射率的前提下可给出反射率的精确计算结果。利用该计算模型,设计了多种表面反射结构,其中硅量子点镶嵌氮化硅与二氧化硅组成的双层抗反射薄膜,在AM1.5光谱下其积分反射率最低可达到4.38%;分析了不同硅量子点体积比对于该双层抗反射膜的影响,系统给出了实际生长该双层抗反射层的具体参数,即富硅氮化硅中的Si∶N=1∶1时即可达到较好的表面抗反射效果。