用超几何函数证明全椭圆积分的一个替换公式

经构造两个邻次超几何函数的恒等式，可以证明用模数ｋ与ｋ１表示的第一，二两种全椭圆积分的一个替换公式。利用这个替换公式和高斯变换，能够很方便地处理圆电流所在平面上的磁场分布问题。     

均匀带电园环附近和无穷长均匀带电直线二者场相似的物理机制

本文从库仑定律出发,利用场强迭加原理,计算了均匀带电园环上两个特殊部分对电场的贡献,在极限条件下,找到了园环附近的电场分布与无穷长均匀带电直线的场相似的原因,并指出了二者相似的物理机制。     

平行电轴的微机处理

本文将二平行带电轴线的等势线方程与电力线方程化成参数形式后,推出了作图时满足通量要求的电力线的递推公式,并编制了用电子计算机作场图的流程图和程序。     

CdS／CuInSe2多晶异质结太阳电池的光电流和转换效率的计算和分析

用Ｒｏｔｈｗａｒｆ的晶界复合损失模型对ＣｄＳ／ＣｕＩｎＳｅ２多晶异质结太阳电池的光电流和转换效率进行了计算，并在计算中考虑到异质结内表面复合因子Ｇ和势垒区宽度随电压的变化因素，结果发现Ｐ区受主浓度ＮＡ有一个最佳值。将我们的计算结果和Ｌ．Ｌ．Ｋａｚｍｅｒｓｋｉ等人的实验结果对照，两者基本一致。     

CdS／CdTe—CdS／Cu2S异质二重结薄膜太阳电池的设计与计算

根据半导体材料的性能参数，考虑光电压Ｖ和耗尽区宽度Ｗ的变化对光电流ＪＬ的影响，较严格地计算了ＣｄＳ／ＣｄＴｅ和ＣｄＳ／Ｃｕ２Ｓ两种异质结单晶薄膜太阳电池的光优特性曲线。然后在Ｊ＾ⅠＳＣ＝Ｊ＾ⅡＳＣ的条件下，以由上述两种异质结构成的二重结太阳电池的ＣｄＴｅ，Ｃｕ２Ｓ厚度进行匹配，计算各种组合下二重结太阳电光伏特性曲线。理论证明最佳匹配厚度Ｈｍａｘ约为９．０６μｍ，最大短路电流、开路电压、转移效率分别     

CdS／CuInSe2多晶异质结太阳电池的光电流和转换效率的计算和分析

用Rorhwarf的晶界复合损失模型对CdS CulnSe_2多晶异质结太阳电池的光电流和转换效率进行了计算,并在计算中考虑到异质结内表面复合因子G和势垒区宽度随电压的变化因素。结果发现P区受主浓度N_A有一个最佳值。将我们的计算结果和L.L.Kagmerski等人的实验结果对照。两者基本一致。     

Cu_2S/CdS异质结工艺的发展

本文对近年来Cu_2S/CdS异质结的制造技术进行了总结和评述。主要内容有:CdS薄膜工艺,Cu_2S/CdS结构中Cu_2S的形式,异质结的形成,前后电极的制造,薄膜光电池的结构。     

多晶CdS／Cu2S异质结太阳电池光电流及转换效率的计算

根据半导体材料的性能参数，对多晶ＣｄＳ／Ｃｕ２Ｓ薄膜太阳电池在各种浓度下的光伏特性作了较深入的分析和计算。计算中考虑到耗尽区宽度的变化以及内表面复合损失对光电流ＪＬ的影响，同时还用Ｒｏｔｗａｒｆ晶界复合损失模型计算了晶粒度对光电流及光伏特性的影响。存在一个最佳Ｃｕ２Ｓ受主浓度Ｎａ＝１０＾１５ｃｍ＾－３，单晶和晶粒度Ｒ＝３μｍ的多晶电池，其转换效率分别为１３．６％和１３．３％。     

均匀带电圆环所在平面上的场与全椭圆积分的替换公式

用两种不同积分技巧解的均匀带电圆环所在平面上的场，可推知全椭圆积分的两个替换公式。利用此替换公式，又能将用全椭圆积分表示的这类问题的解从一个区域延拓到另一个区域。     

CdS／CdTe－CdS／Cu_2S异质二重结薄膜太阳电池的设计与计算

根据半导体材料的性能参数，考虑光电压Ｖ和耗尽区宽度Ｗ的变化对光电流ＪＬ的影响，较严格地计算了ＣｄＳ／ＣｄＴｅ和ＣｄＳ／Ｃｕ２Ｓ两种异质结单晶薄膜太阳电池的光伏特性曲线。然后在的条件下，对由上述两种异质结构成的二重结太阳电池的ＣｄＴｅ、Ｃｕ２Ｓ厚度进行匹配，计算各种组合下二重结太阳电池的光伏特性曲线。理论证明最佳匹配厚度Ｈｍａｘ约为９．０６μｍ，最大短路电流、开路电压、转换效率分别为１４．２２ｍＡｃｍ－２、１．３Ｖ和１４、６８％。