有机太阳电池ITO电极质量衡量方法

通过测量不同光刻条件下制作的ITO极的方块电阻,提供了一种利用方块电阻测量值来衡量有机太阳电池ITO电极质量的方法.对于笔者所使用的ITO电极图案和ITO玻璃的规格,在指定点上测得方块电阻为7.0Ω/□时,电极质量较好.相比利用显微镜观察ITO电极质量的方法,该方法既简便又准确,可以提供一个对ITO电极质量的量化衡最标准.     

ZnPc作为有机太阳电池阴极修饰层的研究

采用ZnPc作为ZnPc/C60有机太阳电池阴极修饰层,分析了其对器件光电性能和稳定性的影响.研究了不同厚度ZnPc修饰层对器件性能的影响,结果表明用3 nm ZnPe修饰的器件性能最好.通过传输矩阵的方法画出了结构为ITO/ZnPc(30 nm)/C60(40 nm)/ZnPc(3 nm)/Al(100 nm)电池内部两束敏感光线(630 nm和450 nm光波)的光强分布图,加入3 nm ZnPc对光强分布影响不大.实验还对比分析了未添加、添加LiF和ZnPc修饰层器件的稳定性,用ZnPc修饰的器件更好地改善了稳定性,并对相关机理进行了讨论.     

商业银行对中小企业金融支持的途径及风险研究

中小企业以其数量多,分布广,创造效益大的特点在世界各国的经济发展中都占据重要地位,促进了各国的经济发展。中小企业的发展,离不开商业银行对其的支持。然而中小企业却存在很大的信贷风险,有可能会导致商业银行的本金利息无法收回,给银行带来损失。但是如果拒绝为所有中小企业进行金融支持,未免显得有些因噎废食,不利于银行的发展,更阻碍了中小企业的发展,影响我国经济发展进度。所以,商业银行要寻找规避风险的途径对中小企业进行金融支持,使得其既规避了中小企业的信贷风险,又不阻碍银行与中小企业的进步发展。     

链式氧化制备SiO2膜的研究

研究了应用链式扩散设备对经过制绒、清洗、扩散和刻蚀处理后的单晶P型硅片进行热氧化SiO2膜的生长。采用准稳态光电导衰减法(QSSPC)在室温条件下对氧化前后硅片的少子寿命进行测试,探讨了氧化工艺条件对少子寿命、SiO2薄膜质量的影响机理,并对氧化工艺进行了优化。实验结果表明:在氧气流量为20L/min,带速为13i/m,氧化工艺区阶梯式温度设置为600、800、800、800、800、800、850和900℃时,链式氧化后硅片少子寿命达到42.5μs,SiO2膜的厚度适合,结构致密;在不影响减反效果的情况下,获得了良好的钝化效果。     

酞菁铜蒸发镀膜工艺中膜厚控制参数的确定

基于目前采用的膜厚仪中缺少必要的有机材料的参数(密度和声阻抗),采用真空蒸镀法,在抛光硅片上蒸镀不同显示值厚度下的酞菁铜薄膜,利用椭偏仪测量其真实膜厚,并使用数学软件MATLAB,结合膜厚仪实时监控原理进行理论计算,拟合得到酞菁铜薄膜的参数——声阻抗Zf=0.01 g/cm3.s,薄膜密度Df=6.68 g/cm3。验证实验结果表明,此参数输入膜厚仪中可以比较精确地控制薄膜厚度,显示值和实际测量值的差距约为3 nm。     

光强对有机小分子太阳电池光伏性能的影响

采用真空蒸镀的方法,制备了ZnPc(40 nm)/C60(20 nm)结构的电池,重点研究了不同光强测试条件下,ZnPc/C60电池光伏性能的变化情况。发现开路电压(Voc)和填充因子(FF)随光强呈现对数式的变化趋势,前者逐渐上升而后者则下降,短路电流与光强的关系为Jsc∝E1.13,电池的功率转换效率(η)随光强稳步上升。拟合计算得到电池的理想因子n=1.93;100 mW/cm2辐照条件下,Rs=25Ω,Rsh=116Ω;分析认为,器件的准费密能级分裂程度随光强增强而增大是导致开路电压增大的原因;而Jsc-E强于正比关系则是C60产生激子对电流有辅助贡献的结果。     

背钝化太阳电池背面钝化膜与金属化技术的匹配研究

随着高效太阳电池研发的不断推进,优质的表面钝化已成为高转换效率太阳电池不可或缺的组成部分。本文通过对背面金属化过程铝浆对钝化膜侵蚀作用的分析,匹配背面钝化膜对金属化过程的侵蚀抵御能力,确定了钝化膜折射率的范围,结合背面钝化效果的研究,进一步确定了钝化膜折射率的目标值。     

有机太阳能电池ITO电极的光刻制备法及其研究

目前有机太阳能电池是光电行业研究的热点之一。通常该器件以ITO为阳极，通过真空蒸镀的方法制作。在对器件进行测试时，ITO电极的设计制作，有利于器件的保护。用光刻技术进行ITO电极的制作，可以得到非常精细的结果。重点阐述了利用光刻方法制作优良ITO电极的注意点，包括表面清洗、曝光控制、显影控制和腐蚀工艺，其中由于不同ITO玻璃的导电层厚度、各成分含量不同，所以腐蚀工艺的研究是重点中的重点。提供了对生成光刻ITO电极的质量进行准确评价的一种简便方法。     

n型铝背结太阳电池的前面场优化研究

主要研究了n型铝背结太阳电池前面场对电池效率的影响,前面场浓度与扩散深度的优化明显提高了n型电池的短波响应,在实验中采用了低成本工艺路线,采用PECVD沉积SiN x替代高温热氧化形成的SiO2与PECVD沉积SiN x叠层膜作为钝化减反射层。文中通过PC1D模拟与实验结合的方法得到前表面场的最佳掺杂浓度与掺杂深度,研究发现n型电池前面场与p型电池背面场有明显差异,p型电池背面场掺杂浓度越高得到的效率就越高,而n型电池前面场掺杂浓度在合适范围内才能有效提高电池效率。最终经过优化得到的电池效率达到19.25%,开路电压为641 mV,短路电流为8.91 A,填充因子为80.53%。