太阳电池用直拉硅单晶中氧沉淀的研究

主要通过单步退火与二步退火的方法,借助于红外光谱仪,扫描电镜等研究了太阳电池用直拉硅单晶中氧沉淀性质,发现太阳电池用直拉硅单晶氧沉淀的过程不同于微电子用直拉硅单晶,尽管碳浓度很高,经过单步退火处理没有氧沉淀生成,这被认为由于晶体生长速率快等原因,太阳能用硅单晶的原生氧沉淀很少,氧沉淀缺乏原始核心的缘故,而经过750℃预退火。生成氧沉淀核心,太阳能用硅单晶中也有大量的氧沉淀产生,研究表明,如果太阳电池工艺中硅片仅经800-1100℃的单步热处理,太阳能用直拉硅单晶中的氧可能对太阳电池的效率没有影响。     

太阳电池用直拉硅单晶中碳对氧沉淀的作用

主要通过单步退火、二步退火的方法，借助于红外光谱仪，研究了太阳电池用直拉硅单晶中碳对氧沉淀的作用，发现碳在单步退火过程中不参与氧沉淀；经过预处理的太阳电池用硅单晶尾部（高碳区）样片在950℃和1050℃第二步退火时碳参与了氧沉淀的长大。二步退火过程中尾部（高碳区）样片产生的氧沉淀较头部（低碳区）多（除了850℃以外），由此可以推断原生碳含量越高，就越能促进氧沉淀。