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本文利用正交实验,对电沉积氧化镍薄膜的制备技术进行了研究,找出了基底的最佳预处理条件和制备条件,并对薄的电色性能及结构特性进行了研究,找出了它们的变化规律。 相似文献
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将固态源硒化法制备的太阳薄膜材料(Mo/CuIn1-xGaxSe2/Cds)在500℃进行氢处理和氮处理,然后利用XRD、SEM和I-V测试分析了氢处理和氮处理对CuIn1-xGaxSe2薄膜结构、形貌和太阳电池性能的影响。研究表明在500℃的条件下,经过不同时间的氢处理,可以使样品的开启电压减小(特别是经过180min氢处理的样品),提高了p-n结的性能,从而提高光电转换效率,并可以使样品表面的大颗粒逐渐减少,促进CuIn1-xGaxSe2相的形成,这和I—V性能的测试结果相符合。而氮气的处理对于样品的I—V性能几乎没有影响,这证明了上述性能的提高是由于氢的钝化作用引起的,而非普通的热处理所致。 相似文献
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胡十二块油藏流体性质研究 总被引:3,自引:0,他引:3
胡十二块目前面临着高含水低采出程度的问题 ,造成该状况的主要原因是胡十二块为严重非均质油藏。通过对胡十二块油藏内流体性质及变化规律的研究 ,充分认识了胡十二块原油物性、化学组成及油田水在注水开发中的变化 ,并进一步研究了流体性质在油田开发中的应用 相似文献
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采用无水化学沉积(NCBD)法在玻璃基片上制备了Sb2S3薄膜。先用无水乙醇将4.0mL浓度为0.1mol/L的SbCl3乙醇溶液稀释至39.6mL,再加入0.4mL浓度为0.5mol/L的CH3CSNH2乙醇溶液,搅拌均匀后垂直放入玻璃基片,在15~18℃温度下沉积72h后,进行退火处理。利用X射线衍射(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)对薄膜在退火前后的结构特性进行了研究,利用光学测试计算了薄膜的光学带隙。结果表明,高温退火使薄膜由退火前的非晶态转变为多晶的Sb2S3结构(正交晶系),薄膜的直接光学带隙从1.86eV降低为1.75eV。 相似文献
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