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1.
通过围绕插件系统的开发过程介绍了一款类似VS1010的Dock布局组件Weifengluo,具有使用简单、功能强大特点,广泛用于Winform系统开发.  相似文献   
2.
以计算机为核心的现代信息技术向人们展示了多媒体化、人工智能化和全球网络化的发展特性,这种特性便于创设一种全新的自主学习环境。本文分析了信息技术对自主学习的支持作用,并就现代信息技术环境下学生自主学习能力培养的途径与方法进行了分析。  相似文献   
3.
NIP型非晶硅薄膜太阳能电池的研究   总被引:3,自引:3,他引:0  
采用射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)技术制备非晶硅(a-Si)NIP太阳能电池,其中电池的窗口层采用P型晶化硅薄膜,电池结构为Al/glass/SnO2/N(a-Si:H)/I(a-Si:H)/P(cryst-Si:H)/ITO/Al.为了使P型晶化硅薄膜能够在a-Si表面成功生长,电池制备过程中采用了H等离子体处理a-Si表面的方法.通过调节电池P层和N层厚度和H等离子体处理a-Si表面的时间,优化了太阳能电池的制备工艺.结果表明,使用H等离子体处理a-Si表面5 min,可以在a-Si表面获得高电导率的P型晶化硅薄膜,并且这种结构可以应用到电池上;当P型晶化硅层沉积时间12.5 min,N层沉积12 min,此种结构电池特性最好,效率达6.40%.通过调整P型晶化硅薄膜的结构特征,将能进一步改善电池的性能.  相似文献   
4.
利用电子束反应沉积技术制备了高迁移率I2O3基W-Mo共掺(IMWO,I<,2>O<,3>:WO<,3>/MoO<,3>)薄膜,研究了不同等量WO<,3>-MoO<,3>掺杂浓度对薄膜的微观结构、光学性能和电学性能的影响.IMWO薄膜的表面形貌呈现"类金字塔"型.随着WO<,3>-MoO<,3>共掺量的增加,IMWO薄...  相似文献   
5.
采用中频脉冲磁控溅射在不同衬底温度下制备了太阳电池铝背反射电极,利用X射线衍射仪(XRD)研究了薄膜晶体结构,用X射线光电子谱仪(XPS)分析薄膜的成分,用原子力显微镜(AFM)观察薄膜表面形貌和粗糙度,用分光光度计研究薄膜的反射率。研究发现随衬底温度升高,薄膜中氧含量增加,晶体结构变为混合晶面取向,晶化率降低,表面粗糙度增大,反射率下降。将其应用到NIP非晶硅薄膜太阳电池中,在衬底温度为300℃时,得到了5.6%的电池转换效率。  相似文献   
6.
一卡通在高校教学管理服务及生活等很多领域得到广泛应用,一卡通在校园消费、身份管理、图书馆管理、考勤管理、财务管理方面发挥了重要的作用,不仅改善了校园的生活质量,而且提高了高校的管理效率。  相似文献   
7.
当前大学生志愿者管理存在管理机制不健全、志愿者招募重数量轻质量、人性化关怀欠缺等问题,针对这些问题,提出了健全活动组织机构,加强志愿服务管理,加强对志愿者组织的人力资源管理,建立科学的激励和考评制度等对策,以期增强高校大学生志愿者管理的实效性。  相似文献   
8.
随着组织形式的多样化和功能的逐渐丰富,学生组织在和谐校园建设中发挥着重要的作用。本文分析了当前学生组织发展中存在的主要问题,有针对性的提出了增强高校学生组织建设的对策。  相似文献   
9.
以Zn-Al(Al:2wt.%)合金为溅射靶材,采用直流反应磁控溅射的方法,在普通玻璃衬底上制备Al掺杂ZnO(AZO)薄膜。通过对衬底温度的调制,在较高衬底温度下(~280℃),无需经过常规溅射后腐蚀工艺过程,即可获得表面形貌具有特征陷光结构的AZO薄膜,其表面呈现类金字塔状,粗糙度RMS=65.831nm。通过测试薄膜的结构特性、表面形貌及其光电性能,详细地研究了衬底温度对AZO薄膜性能的影响。X射线衍射(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)测试表明,所有样品均为多晶六角纤锌矿结构,薄膜呈(002)晶面择优生长,其表面形貌随衬底温度的不同而改变。衬底温度为200℃及其以上工艺条件下获得的AZO薄膜,在可见光及近红外范围的平均透过率大于90%,电阻率优于1.5×10-3Ωcm。  相似文献   
10.
磁控溅射技术制备织构化表面Al掺杂ZnO薄膜   总被引:1,自引:0,他引:1  
以Zn-Al(Al:2wt.%)合金为溅射靶材,采用直流反应磁控溅射的方法,在普通玻璃衬底上制备Al掺杂ZnO(AZO)薄膜。通过对衬底温度的调制,在较高衬底温度下(~280℃),无需经过常规溅射后腐蚀工艺过程,即可获得表面形貌具有特征陷光结构的AZO薄膜,其表面呈现"类金字塔"状,粗糙度RMS=65.831nm。通过测试薄膜的结构特性、表面形貌及其光电性能,详细地研究了衬底温度对AZO薄膜性能的影响。X射线衍射(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)测试表明,所有样品均为多晶六角纤锌矿结构,薄膜呈(002)晶面择优生长,其表面形貌随衬底温度的不同而改变。衬底温度为200℃及其以上工艺条件下获得的AZO薄膜,在可见光及近红外范围的平均透过率大于90%,电阻率优于1.5×10-3Ωcm。  相似文献   
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