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在芯片生产过程中,由于工艺的影响,带隙基准电压V_(BG)会存在偏差。在芯片测试阶段,需要对V_(BG)进行trim修调,使其满足芯片参数要求。简要分析了带隙基准电压误差的来源,提出了一种E-Fuse修调电路,通过程序中的代码控制修调电阻的大小,使V_(BG)满足要求。同时,在该修调电路的基础上,采用了一种新型算法,使得测试芯片V_(BG)的时间缩短了近558 ms,减少了测试时间,降低了测试成本。 相似文献
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介绍了依据GB/T 18386—2017《电动汽车能量消耗率和续驶里程试验方法》进行电动车续驶里程试验的流程,并对给各流程中续驶里程结果带来误差的因素进行分析,通过合理的试验方法确保试验结果的准确性。 相似文献
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