电真空器件用无氧铜含氧量密度检验法的研究

本文对密度检验法原理，方法作了扼要介绍，采用密度检验法，对电真空器件用无氧铜含氧量进行了检验试验研究，并对检验含量的各种方法进行了讨论。结果表明，密度检验法与我国现行的氢裂评级法大致相符，说明密度检验法是科学的，可行的。     

韩国氧化铝陶瓷—金属封接的研究

叙述了采用光学显微镜，扫描电镜、Ｘ射线衍射等分析方法对韩国的氧化铝陶瓷的显微结构及其与金属封接技术进行的初步分析和研究；讨论了显微结构及其与金属封接技术有关的问题。     

TC-436 N/O测定仪在真空电子材料研究中的应用

介绍了TC－436N／O测定仪的结构，原理及其在真空电子材料中的应用，着重对无氧铜，Cr-Cu合金中的N，O气体含量测定，作了较多的论述。     

美国氧化铝陶瓷显微结构与金属化技术的探讨

本文采用X射线荧光分析仪、X射线衍射仪、光学显微镜、扫描电镜等仪器分析方法对美国96％氧化铝陶瓷的显微结构、金属化技术,做了初步的分析探讨,讨论了显微结构与其金属化技术有关的问题。     

几种Al2O3陶瓷金属化产品的分析报告

本文对世界上两大著名公司生产陶瓷金属化产品连同我国同类产品进行了分析、对比。找出它们各自的特点 ,评估了其质量水平 ,对我国进一步提高产品的性能 ,起到了很好的借鉴作用。     

美国氧化铝陶瓷显微结构的研究

本文采用化学分析、x射线衍射、光学显微镜、扫描电镜等分析方法,对美国广泛应用的八种氧化铝陶瓷的显微结构作了初步的研究,并对显微结构与化学成分之关系,以及对性能的影响,作了粗浅的讨论。     

真空电子器件用氧化铝陶瓷显微结构的研究

对真空电子器件用氧化铝陶瓷显微结构进行研究，着重对显微结构与化学成分、工艺、性能的关系以及显微缺陷对性能的影响展开讨论，并提出了自己的一些看法。     

ZrO_2陶瓷－金属接合技术的研究

用ＴｉＨ＿２方法对ＺｒＯ＿２陶瓷和铜的接合技术进行了试验研究，试验结果获得了较好的粘接，对其接合机理也进行了较为系统的分析，初步确定，接合机理为Ｔｉ的化学反应和形成反应层所致。     

AlN陶瓷的气密接合

用Ti-Ag-Cu法完成了AlN陶瓷与金属的气密接合,进行了接合机理分析及较系统的反应热力学计算,计算表明:△G<0,说明Ti和AlN陶瓷的化学反应可以进行,计算与实验结果一致。     

陶瓷-金属封接缺陷——瓷件“光板”原因的探讨

采用金相、扫描电镜、能谱等分析手段,对陶瓷-金属封接的严重缺陷——瓷件"光板"的产生原因进行了分析、探讨,并提出防止光板缺陷的措施。结果表明:焊料向金属化层的严重渗透以及金属化层玻璃相的缺少,均是导致光板的主要原因。通过改进金属化工艺,保证致密的金属化层显微结构,防止焊料渗透,可以避免光板缺陷。