电沉积法制备CuxS薄膜及其性质研究

利用电沉积的方法制备CuxS薄膜，研究了不同的络合剂，不同的硫源及不同的热处理温度对电沉积制备CuxS薄膜性质的影响。研究发现：不同的络合剂可以制备得到不同相的CuxS薄膜，用EDTA作为络合剂的时候得到是六方相的Cu2S其主要晶面是(102)，当用柠檬酸钠作为络合剂的时候得到的是单斜的Cu31Sl6其主要晶面是(842)。当用Na2S2O3作为硫源的时候得到的是单斜的Cu31S16其主要晶面是(842)，当用硫脲作为硫源的时候得到是六方相的CuxS其主要晶面是(102)。随着热处理温度的提高，薄膜的结晶程度有了很大的提高，晶粒有了明显的长大，不同温度的热处理证实了CuxS薄膜的生长是沿着[102]方向定向生长的。     

氢处理对太阳薄膜材料Mo/CuIn1-x GaxSe2/CdS的影响

将固态源硒化法制备的太阳薄膜材料(Mo／CuIn1-xGaxSe2／Cds)在500℃进行氢处理和氮处理，然后利用XRD、SEM和I-V测试分析了氢处理和氮处理对CuIn1-xGaxSe2薄膜结构、形貌和太阳电池性能的影响。研究表明在500℃的条件下，经过不同时间的氢处理，可以使样品的开启电压减小(特别是经过180min氢处理的样品)，提高了p-n结的性能，从而提高光电转换效率，并可以使样品表面的大颗粒逐渐减少，促进CuIn1-xGaxSe2相的形成，这和I—V性能的测试结果相符合。而氮气的处理对于样品的I—V性能几乎没有影响，这证明了上述性能的提高是由于氢的钝化作用引起的，而非普通的热处理所致。     

化学水浴法制备CuxS薄膜

CuInS2薄膜是最有前途的多晶薄膜太阳电池材料.为了用化学水浴法制备CuIn岛薄膜,该文研究了化学水浴法制备CuxS薄膜,用SEM、XRD、EDX分别研究了薄膜的形貌、结构和组分,并且对薄膜的光学性质进行了讨论.     

太阳能电池材料CuInS2的研究现状

综述了CuInS2太阳能电池的研究现状，介绍了CuInS2材料的结构性质，光学性质，电学性质及制备方法，讨论了Na与Ga对其性质的影响，并提出了目前存在的问题及其发展趋势。     

热处理对化学水浴沉积法制备的CuInS2薄膜的影响

采用二步化学水浴沉积法制备了太阳电池材料CuInS2薄膜，通过XRD、EDX和SEM，对薄膜的结构、成分、形貌进行了研究，并研究了不同的热处理过程对CuInS2薄膜的形成的影响。研究指出：二步化学水浴沉积法制备的CuInS2薄膜经过非真空的一步高温长时间热处理，薄膜容易被氧化，而在低真空下，采取低温一高温两步退火处理后，薄膜的结晶度和形貌都有一定程度的提高，因此后一热处理过程适合化学水浴沉积法制备CuInS2薄膜的后续热处理。     

化学沉积制备CdS及超声振动处理

在无搅拌、氨水作为络合剂的条件下得到六方相的CdS薄膜，并通过对比超声振动处理和未超声振动处理样品的X射线衍射谱指出文献中在搅拌条件下制备的CdS薄膜相难以确定的原因。通过SEM、EDX和UV／VIS等测试仪器的分析表明超声振动可以很好的改善薄膜的性质使之适合用作太阳电池的n窗口材料，从而降低成本。     

磁控溅射金属预置层后硒化法制备CuInSe_2薄膜工艺条件的优化

采用四因素四水平的正交实验法优化了磁控溅射金属预置层后硒化法制备CuInSe2 薄膜的工艺条件 .调节四个较为重要的影响因素 ,即Cu/In比、硒化时间、硒化温度和硒源温度制备得到 16个CuInSe2 样品 .用Hall效应仪对薄膜的电学性能进行了研究 ,并且通过XRD研究了薄膜的结构性能 .得到了制备具有较好电学性能的CuInSe2 薄膜的优化条件为 :Cu/In比 1 133,硒化温度 4 2 0℃ ,硒化时间 2 0min ,硒源温度 2 0 0℃ .在此优化条件下得到的薄膜Hall迁移率可以达到 3 19cm2 /(V·s) ,XRD结果表明薄膜中没有杂相存在 .     

不同络合剂对化学水浴法制备ZnS薄膜性能的影响

研究了不同络合剂对化学水浴法制备太阳电池用ZnS薄膜性能的影响。研究指出,在相同的浓度下以EDTA为络合剂时,由于其对锌离子的络合能力最强,无法生成ZnS薄膜,而以肼与柠檬酸钠为络合剂时,成功制备成ZnS薄膜。结果还表明,采用柠檬酸钠为络合剂,在搅拌条件下制备出的ZnS薄膜适用于CIGS太阳电池的过渡层。最后实验利用FE—SEM、XRD、紫外—可见光吸收谱,透射谱和反射谱研究了ZnS薄膜的性能。     

磁控溅射金属预置层后硒化法制备CuInSe2薄膜工艺条件的优化

采用四因素四水平的正交实验法优化了磁控溅射金属预置层后硒化法制备CuInSe2薄膜的工艺条件.调节四个较为重要的影响因素,即Cu/In比、硒化时间、硒化温度和硒源温度制备得到16个CuInSe2样品.用Hall效应仪对薄膜的电学性能进行了研究,并且通过XRD研究了薄膜的结构性能.得到了制备具有较好电学性能的CuInSe2薄膜的优化条件为:Cu/In比1.133,硒化温度420℃,硒化时间20min,硒源温度200℃.在此优化条件下得到的薄膜Hall迁移率可以达到3.19cm2/(V*s),XRD结果表明薄膜中没有杂相存在.