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与第二、三代核能系统相比,第四代核能系统和核聚变堆的运行温度更高、辐照剂量更强以及腐蚀环境更为严苛,因此开发高性能核电材料迫在眉睫。氧化物弥散强化(Oxide dispersion strengthened,ODS)钢含有高密度的弥散纳米氧化物和空位尾闾,使其具有优异的抗高温蠕变和抗辐照肿胀的性能,因此被认为是第四代核裂变堆包壳管和核聚变堆包层结构最有前景的候选材料之一。ODS钢优异的性能源于其独特的微观组织结构,尤其是弥散分布的纳米氧化物。在热变形过程中,纳米氧化物形态变化不大,但在冷变形过程中,纳米氧化物会发生明显的塑性变形,后续的高温退火处理使其溶解再析出。合理调控合金元素可以提高纳米氧化物的稳定性和减小纳米氧化物尺寸,但晶界与纳米氧化物的相互作用会使纳米氧化物丧失界面关系而加速粗化,并且在晶界附近区域会出现无析出区。由于ODS钢中纳米氧化物的演化行为复杂,调控纳米氧化物的尺寸和弥散分布程度仍有待进一步研究。本文归纳了ODS钢在热加工过程中纳米氧化物演化行为的研究进展,分别对纳米氧化物的塑性变形机制、纳米氧化物的溶解再析出机制、纳米氧化物的热稳定性和纳米氧化物与晶界的相互作用进行... 相似文献
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基于c-Si(P)衬底的a-Si/c-Si异质结模拟研究 总被引:1,自引:0,他引:1
本文中研究了影响 a-Si/c-Si 异质结界面复合的主要因素: 表面固定电荷 ,缺陷态载流子俘获界面: ,以及界面缺陷态密度 。当缺陷能级 接近c-Si本征能级,且 满足时,缺陷态复合中心复合速度达到最大。AFORS-HET 软件模拟显示, a-Si/c-Si界面能带不连续显著影响电池Voc、界面缺陷态密度大于1*1010 cm-2.eV-1时,界面态密度的增加会严重降低电池Voc,但其对电池电流密度影响不大。对于c-Si (P)/a-Si (P ) 结构异质结,C-Si衬底的势垒 和a-Si材料内的势垒 对降低c-Si (P)/a-Si (P ) 结构的接触电阻和界面复合速度,表现各不相同。 相似文献
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媒体融合是这几年媒体行业的重要发展趋势,上到国家下到各媒体,都对此高度重视,各个媒体机构、企业、科研院校也对此作了大量的研究、开发与实践. 相似文献
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