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报道了一种具有高正向电流密度和高反向击穿场强的垂直型金刚石肖特基势垒二极管器件。采用微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)技术在高掺p~+单晶金刚石衬底上外延了一层275 nm厚的低掺p~-金刚石漂移层,并通过在样品背面和正面分别制备欧姆和肖特基接触电极完成了器件的研制。欧姆接触比接触电阻率低至1.73×10~(-5)Ω·cm~2,肖特基接触理想因子1.87,势垒高度1.08 eV。器件在正向-10 V电压时的电流密度达到了22 000 A/cm~2,比导通电阻0.45 mΩ·cm~2,整流比1×10~(10)以上。器件反向击穿电压110 V,击穿场强达到了4 MV/cm。 相似文献
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研究了Zr-Si-N氢终端金刚石(H-diamond)绝缘栅场效应晶体管(MISFET)在有无Al2O3保护层情况下的电学特性。分别采用原子层沉积法(ALD)和射频溅射法(RF)制备了Al2O3保护层和Zr-Si-N栅介质层。MISFETs的转移特性曲线表明,其栅阈值电压在有无Al2O3保护的情况下从-2.5 V变化到3 V,表明器件从常关型转换为常开型。输出和转移特性曲线揭示了氧化铝的存在保护了氢终端,使其免受磁控溅射过程的损伤。 相似文献
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线损率是国家考核电力企业的一项重要经济指标,也是表征电力系统规划设计、生产技术和运营管理水平的一项综合性技术经济指标。随着电力体制改革的日益深化,降低线损越发显现出其重要性。线损管理工作做的如何直接关系到企业的经济效益和国家节能政策的贯彻落实。 相似文献
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黄土高原淤地坝工程建设监理部门责任重大,监理难度大是淤地坝监理的主要特点,加强思想建设和程序完善,注重试验是主要的监理方法。 相似文献
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为了获得更高精度的时钟源,需要对晶体振荡器进行温度补偿以便减小频率随温度的变化。对比晶体振荡器不同的温度补偿方式,模拟温度补偿具有较高的性能,而模拟温度补偿电路的主要模块就是获取与温度成次方关系的补偿电压。文中采用了一种模拟乘法器的方法来获得与温度成不同指数关系的电压,在全差分放大器的输入端接入4个MOS管,利用其工作于线性区时的电流电压关系并结合全差分放大器来实现两个模拟量之间的相乘,进而获得与温度成1次方、2次方、3次方、4次方和5次方关系的补偿电压。获得的这些电压通过加和电路叠加后即可用于晶体振荡器的高阶温度补偿。通过仿真,得到全差分放大器的差模增益为78.6 dB,乘法器可以实现两个信号的相乘,且应用该方法进行补偿的晶体振荡器的频率偏移为±2 ppm。 相似文献
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高压断路器是电力系统的重要元件,其产品质量和运行工况的优劣,将直接关系到电力系统的安全稳定运行。结合我国某电力设备生产企业生产的高压SF6断路器LW -126型配CT20-I(X)P弹簧操动机构,220kV电压等级的LW -252型配CQ6-I气动操动机构,对在现场安装和运行过程中发生的质量事故进行分析,并提出改进措施,为电力系统工作者提供借鉴。 相似文献
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