用GO语言实现C语言词法分析器

词法分析器是编译器的第一阶段,其从左到右读入程序的源文件,而后分解出有意义的词法单元。大多数编译器的词法分析器都采用手工实现,所以学习、实现词法分析器在教学上有重要意义。本系统使用新的系统级程序语言GO语言,并利用其内置的字典数据类型,构建出几个查找表,简化了程序,实现了C语言的词法分析器。     

用MWECR CVD系统制备具有非晶/微晶两相结构的硅薄膜研究

用微波电子回旋共振化学气相沉积(MWECR CVD)系统制备了具有非晶/微晶两相结构的硅薄膜,研究了沉积温度和沉积压力等对制备微晶硅薄膜的结构和电学特性的影响.结果表明:较低的反应压和较高的衬底温度有利于获得非晶/微晶两相结构的硅薄膜,当反应压为0.7 Pa、衬底温度为170℃时,得到非晶/微晶两相结构的硅薄膜晶相体积比约为30%;具有这种晶相体积比的非晶/微晶两相结构的硅薄膜,μτ乘积值约为10-5量级左右,比不含微晶成分的氢化非晶硅样品的μτ乘积值大约2个量级,同时这种晶相体积比的非晶/微晶两相结构的硅薄膜的光敏性在103～104左右,其兼具很好的光电导稳定性和优良的光电特性,是制备非晶硅太阳电池的器件级本征层材料.     

前进式采煤的几点认识

通过双鸭山矿务局多年采用前进式开采的实践，对有关前进式采煤出现的问题进行论述并介绍了该方式的效果及注意的问题。     

介入微弹簧圈栓塞术治疗颅内动脉瘤

目的 探讨介入微弹簧圈栓塞治疗颅内动脉瘤技术,评价临床疗效.方法 采用介入方法微弹簧圈栓塞术,对114例119枚颅内动脉瘤进行栓塞治疗.临床表现为自发性蛛网膜下腔出血者107例.119枚动脉瘤中宽颈动脉瘤24枚,其中5枚采用支架辅助技术进行栓塞;2枚椎动脉梭形动脉瘤均进行了隔断绝栓塞术.结果 119枚动脉瘤中118枚成功栓塞,其中完全致密闭塞72枚(60.5%),接近完全闭塞30枚(25.2%)、大部分闭塞13枚(10.9%),部分闭塞3枚(2.5%),1枚未能栓塞(0.8%).6例前交通动脉瘤患者出现术     

自制可回收下腔静脉滤器预防急性肺栓塞的实验研究

目的探讨一种新型可回收下腔静脉滤器预防急性肺栓塞的有效性、安全性。方法１２只犬制备成髂股深静脉血栓模型，分为滤器组（实验组）与无滤器组（对照组），每组６只。滤器组在深静脉血栓脱落前于对侧股静脉置入下腔静脉滤器，其后使血栓脱落；对照组直接使血栓脱落即形成肺动脉栓塞。通过血栓脱落前后的肺动脉造影、肺动脉测压以及动脉血氧饱和度测定评价滤器的血栓捕获性能。结果滤器组均成功捕获脱落的深静脉血栓，无一例发生肺动脉栓塞，８h后滤器均能成功回收；而对照组在推注血栓后均发生了肺动脉栓塞。结论自制可回收下腔静脉滤器能有效预防下肢深静脉急性血栓脱落引起的肺动脉栓塞，其置入和回收简便。     

鞍山热能研究院焦化科研“七五”进展和“八五”展望

冶金部鞍山热能研究院是能源开发和利用的综合科研单位,其中焦化科研具有相当强的科研力量。“七五”期间该院开设了50余项焦化科研专题,取得了一批科研成果,其中大部分在生产上得到了应用。本文从炼焦煤和焦炭,炼焦化学产品回收与加工等几方面论述了“七五”期间的科研开发、进展和取得的成就,并就“八五”的焦化科研工作作了展望。     

经皮内膜瓣开窗术治疗主动脉夹层引起的缺血并发症

目的探讨单纯经皮内膜瓣开窗术治疗主动脉夹层引起的主动脉分支缺血并发症的意义与可能性.方法 1例DeBakey Ⅲb型主动脉夹层男性患者,因夹层瘤严重撕裂主动脉内膜致双下肢麻痹.经皮穿刺股动脉行单纯夹层瘤内膜开窗术.结果双下肢血流恢复,症状消失,双侧股、足背动脉正常触及.结论经皮内膜瓣开窗术治疗主动脉夹层引起缺血并发症是安全、有效的措施,但需尽早.     

Simulation analysis of the effects of a back surface field on a p-a-Si:H/n-c-Si/n+-a-Si:H heterojunction solar cell

In order to investigate the effects of a back surface field（BSF） on the performance of a p-doped amorphous silicon（p-a-Si：H）/n-doped crystalline silicon（n-c-Si） solar cell,a heterojunction solar cell with a p-a-Si：H/n-c-Si/n^＋-a-Si：H structure was designed.An n^＋-a-Si：H film was deposited on the back of an n-c-Si wafer as the BSF.The photovoltaic performance of p-a-Si：H/n-c-Si/n^＋-a-Si：H solar cells were simulated.It was shown that the BSF of the p-a-Si：H/n-c-Si/n^＋-a-Si：H solar cells could effectively inhibit the decrease of the cell performance caused by interface states.