p型多晶硅PERC太阳电池LeTID特性和机理的研究

热辅助光诱导衰减（LeTID）作为一种不可忽视的太阳电池效率衰减现象,其衰减机制和相关缺陷形态的演变过程亟需澄清。针对p型多晶硅钝化发射极局域接触（PERC）太阳电池,研究在不同光照强度下的衰减规律,光照促进了衰减-再生反应的进行,衰减程度随光照强度减小而增大。对衰减起主导作用的是由LeTID过程中产生的体内深能级缺陷导致的SRH复合,该缺陷中心的电子与空穴俘获截面之比k值在33~37范围内,而对衰减影响较小的浅能级缺陷可能是k值在0.1~1.0之间的Fe—B复合物。     

p型铸造单晶硅光注入再生后LID与LeTID的机制分析

光致衰减（LID）与热辅助光诱导衰减（LeTID）是晶硅太阳电池的2种主要衰减,其典型光注入条件分别为25 ℃、1 sun（LID环境）和75 ℃、1 sun（LeTID环境）。从有效少子寿命的角度研究p型铸造单晶硅的衰减机制。200 ℃、7 suns光注入处理过程中样品少子寿命先下降后恢复,这一过程称为光注入再生处理。在LID环境下,无光注入再生处理的样品具有快速与慢速2个衰减阶段,光注入再生处理的样品只有快速衰减阶段。计算两组样品带隙中央附近的缺陷电子/空穴俘获截面比k约为7,表明其中缺陷与直拉单晶硅（Cz-Si）中的BO缺陷相同。对光注入再生处理的样品,在LeTID环境下的衰减阶段计算出k约为35,此数值与多晶硅（mc-Si）中LeTID缺陷的一致。