脉冲激光沉积c轴取向BiCuSeO外延薄膜及其热电性能

利用脉冲激光沉积技术在SrTiO3单晶基片上制备了BiCuSeO薄膜并详细研究了沉积温度对薄膜晶体结构、微观形貌及热电输运性能的影响。在最佳沉积温度(330℃)下,所制备的BiCuSeO薄膜不含任何杂相且沿c轴取向外延生长,与基片的外延关系为[010]SrTiO3∥[010]BiCuSeO和[001]SrTiO3∥[100]BiCuSeO。电学性能测试表明该薄膜在20～350 K内均表现出金属导电特性,室温电阻率仅为12.5 mΩ·cm,远低于相应的多晶块体材料。计算所得的室温功率因子PF约为3.3μW·cm-1·K-2,高于相应的多晶块体材料,表明c轴取向BiCuSeO外延薄膜在薄膜热电器件领域具有重要的应用前景。     

10kV跌落式熔断器故障应急处理装置

10kV跌落式熔断器是配电网中最常用的保护设备之一,一旦发生故障将影响用户供电可靠性。对跌落式熔断器进行故障分析,归纳总结常见的熔断器型号和故障类型。结合生产实际提出了一种跌落式熔断器故障应急处理装置,通过结构设计和优化改进提高了实用性。实际应用表明,采用应急处理装置能够提高用户供电可靠性。     

新型防雨无线核相器绝缘杆的研发与应用

正1问题的提出线路核相是配电网操作人员非常重要的日常操作之一,尤其在对10 k V架空线路进行合环操作前,必须对合环开关(杆刀)两侧架空线路进行核相。只有当核相设备两侧线路的相角差值小于一定数值时,才可以进行合环操作;否则,将因合环电流较大造成线路开关跳闸,影响线路的供电可靠并对操作人员安全产生不利影响。