DBD放电中温度特性与OH促进NO氧化过程光谱诊断

利用光谱诊断方法深入研究了介质阻挡放电（DBD）中气体分子温度分布,OH自由基促进NO分子氧化过程的光谱特性,获得了NO（A^2∑^＋→X^2П,0—3,1—4）、N2（C^3Пu→B^3Пg,0—0）和OH（A^2∑^＋→X^2П,0—0）的高分辨率发射光谱。通过拟舍得到NO（A^2∑^＋→X^2П）转动带253—260nm的谱线,将其与实验谱线进行比较,获得了DBD放电区域的气体分子温度;发现在放电通道内气体分子温度分布较为均衡,但靠近内电极气体分子温度约为330K,略高于介质附近的310K。研究了N2与NO谱线强度的一维分布,发现在放电通道中间位置处谱线强度最高,从中间往内外电极方向谱线强度均逐渐降低。随着交流电压的升高,NO与OH谱线强度均升高,高能电子能有效地激发OH与NO基团。随着相对湿度从20％升高到100％,NO谱线强度降低约93％;随着NO浓度升高,OH谱线强度呈现下降的趋势,NO浓度从200mL／m^3升高到600mL／m^3时,OH谱线强度下降约27％。说明OH基团对NO氧化过程中起到重要作用。     

两种IGCT三电平变频产品功率部分的比较

目前在中压兆瓦级变频应用中IGCT器件比GTO和HV-IGBT有更多的综合优势.在兆瓦级变频应用领域,基于IGCT器件的中压变频器产品已经越来越多地得到应用.两家国际知名电气公司ABB和SIEMENS都生产基于中点钳位三电平拓扑的中压变频系列产品.简单介绍了两家公司的电压型中压变频器产品,并试图通过对这两家公司的两种典型产品功率部分的简单比较,来说明两家公司相关产品功率部分的若干技术特点.