管式PECVD工艺对组件PID的影响研究

以多晶硅电池管式等离子增强化学气相沉积(plasma enhanced chemical vapor deposition,PECVD)工艺对组件电势诱导衰降(potential induced degradation,PID)的影响为研究对象,进行了实验验证分析,研究结果表明:多层膜比单层膜的抗PID性能好,去除预淀积步骤可以明显改善抗PID性能,膜厚一定时,折射率尤其是接触硅片子层的折射率越高,抗PID性能越好;折射率一定时,膜厚尤其是接触硅片子层膜越厚,抗PID性能越好.通过优化多晶硅电池管式PECVD工艺参数,可以提升组件抗PID性能.     

管式PECVD法沉积的SiyNx/SiOxNy叠层膜的研究

本文对采用管式等离子体增强化学气相沉积(PECVD)法沉积的氮化硅与氮氧化硅(Si_yN_x/SiO_xN_y)叠层膜进行了实验研究,结果表明:在硅片正面镀膜时增加SiO_xN_y膜层,既可以增强正面的钝化效果,还可以降低对光的反射率,增加光吸收率,从而提升太阳电池的短波响应能力,通过对膜层组分和反应气体流量等工艺参数进行匹配优化,使太阳电池的光电转换效率提升了0.07%;利用Si_yN_x/SiO_xN_y叠层膜抗氧化、抗钠离子的特性,使太阳电池的抗电势诱导衰减(PID)性能提升了22%。     

PERC单晶硅光伏组件EL明暗不均的研究

按不同电阻率对现有产线的硅片进行划分,通过对电池及组件EL测试的机理探索,系统地研究了不同电阻率硅片加工成太阳电池及组件后EL测试的差异,为解决PERC单晶硅光伏组件EL明暗不均的现象提供了方向,具有良好的实际应用价值。     

金刚线切割多晶硅片预处理对太阳电池电性能的影响研究

目前,在太阳电池生产过程中多采用酸性混合溶液HF-HNO3-H2O对硅片表面进行织构化处理,即进行制绒处理,以降低硅片表面的反射率,进而提高太阳电池的光电转换效率.对基于金刚线切割的多晶硅片进行预处理,并研究预处理对太阳电池电性能的影响.首先在硅片制绒前先对其表面进行喷砂处理(即预处理),使其表面形貌的微观结构发生变化...     

QE测量在晶体硅太阳电池研究中的应用

介绍了量子效率测量的原理以及此项技术在太阳电池研究中的应用。通过对晶硅太阳电池量子效率的测量,分析了不同设备和工艺参数对太阳电池量子效率的影响,为优化生产工艺,提高电池性能提供有力的依据。     

五岳抽水蓄能电站利用已有水库的实践

河南五岳抽水蓄能电站利用已建的五岳水库作为下水库,在抽水蓄能电站可行性研究阶段,根据水库的实际运行情况及监测资料,全面评估除险加固的效果,经对水库饮用水源区进行有效保护、汛期防洪的优化调度及灌溉渠道防渗等工程措施,避免饮用水污染、占用灌溉水源,充分利用水库汛期弃水作为电站取水,为工程顺利获得核准批复和开工建设,奠定了坚实的基础。     

“PERC+SE”单晶硅太阳电池氧化工艺研究

“PERC+SE”单晶硅太阳电池制备过程中,相较于传统的酸抛工艺,在碱抛光工艺之前(即氧化环节)先要制备氧化层SiO₂膜作为掩膜,以保护硅片正面。目前,行业内主要有2种制备SiO₂膜的方式,一种是采用管式扩散炉,另一种是采用链式氧化炉。从实际应用来看,相较于管式扩散炉,链式氧化炉的生产线兼容性更好,产能也更高;而从理论上来看,管式扩散炉比链式氧化炉制备的SiO₂膜更加致密,膜层对掺杂区域的保护也更好。对于这2种设备,从制备的SiO₂膜厚度,硅片氧化前、后和碱抛光后的方块电阻变化,以及制得的“PERC+选择性发射极(SE)”单晶硅太阳电池的电性能3个方面进行详细对比。结果显示：管式扩散炉与链式氧化炉制备的SiO₂膜对SE激光重掺杂区域的保护效果略有差别,但对太阳电池电性能的影响较小,可忽略。因此,结合生产线兼容性及产能情况,链式氧化炉比管式扩散炉更具有推广优势。     

多晶硅片单面制绒工艺的研究

介绍了一种新的多晶硅片单面制绒工艺,通过对太阳能多晶硅链式制绒设备进行改造,使制绒槽内的硅片由浸没式腐蚀制绒改为漂浮式腐蚀制绒,同时利用喷淋方式去除硅片背面的损伤层,可有效避免硅片背面的过度腐蚀.通过选定相同条件下的多晶硅原料片,并进行严格均分,分别采用单面制绒工艺与产线常规双面制绒工艺进行制绒,其他工序采用相同设备及...     

氧化太阳电池硫化原因及改善措施分析

针对p型SE-PERC单晶硅太阳电池的氧化现象，通过扫描电子显微镜扫描太阳电池氧化位置和正常位置来分析氧化现象产生原因，然后分析太阳电池氧化区域微观图像上存在的黑点的元素成分，最后给出了预防太阳电池氧化的措施。分析结果显示：太阳电池氧化区域黑点的成分主要为硫元素，而太阳电池氧化实际上是银栅线位置发生硫化导致的。因此减少生产过程中硫元素的引入，可有效预防太阳电池发生氧化。