栅控二极管ESD工艺优化方法研究

为解决通过更改器件设计来提升电路抗静电放电（ESD）能力时成本高的问题,从栅控二极管的工艺出发,研究CAN总线电路抗ESD能力提升方法。通过TCAD仿真,评估了沟道掺杂对于栅控二极管抗ESD能力的影响,发现调整ESD离子注入工艺可以优化栅控二极管导通电阻,提高ESD保护窗口内的泄流能力,将电路抗ESD能力从2 000 V提高到3 000 V,为电路级芯片的失效问题提供了一种解决方案。     

HXN5型机车空压机断油阀膜板破损原因分析

在对空压机断油阀膜板破损故障调查的基础上,分析了断油阀设计不合理的问题,提出了改进措施。     

薄硅膜SOI器件辐射效应研究

为适应SOI技术的发展,探索相关材料参数受辐射影响程度及器件的抗辐射性能,研究了不同硅膜厚度SOI器件的总剂量辐射效应。采用⁶⁰Co作为辐射源,所选器件的辐射性能通过晶体管前栅和背栅的阈值电压漂移量进行表征。实验结果显示,所选的本单位SOI工艺的硅膜厚度必须大于205 nm才能保证器件的抗总剂量辐射能力,针对此结论利用TCAD软件进行仿真验证,归纳出相应的物理机制。对电路静态电流特性对总剂量辐射的敏感性也给出了相关的讨论与评估。     

基于时间戳的并行实时事务调度策略

传统并行事务处理方法不适用于实时数据库，对几种相关事务调度策略进行比较，提出一种基于时间戳的并行实时事务调度策略TS-PRTTS(Timestamp based Parallel Real-Time Transaction Scheduling)，采用M／G／1队列模型，利用时间戳控制子事务同步．实验证明，该策略能较好协调同步控制与通信代价矛盾，在系统负荷较重以及数据倾斜、访问倾斜问题较突出时具有良好的性能。     

基于遗传算法的双级行星齿轮减速器优化设计

以NGW双极行星齿轮减速器的体积和传动效率为目标函数,应用遗传算法的适者生存并且具有全局搜索的功能可在潜在的解决方案种群中逐步生成近似最优解这一优点,同时运用模糊优化的部分理论知识,最终获得了理想的具有工程实用价值的综合优化结果。与传统优化方法相比较,采用模糊优化方法的双级行星齿轮减速器的体积降低6.33%,传动效率提高到了97.27%。     

DAM中波发射机中驱动电源调整器日常维护与故障处理

文章对AM103S5—2型10kW DAM中波发射机的驱动电源调整器的原理进行了介绍,同时,对发射机所出现的驱动电源调整器故障的原因进行了分析,并提出了加强日常维护的措施。     

HXN5型机车空压机空气滤清器喷油原因分析

通过对空压机空气滤清器喷油故障的调查分析,阐述了出气单向阀设计不合理的问题,并提出了改进措施。     

HX_N5型机车运用中的一些惯性故障分析与处理

对HXN5型机车运用中发生的控制系统通讯中断、牵引电动机通风机控制器TBC停止工作、机车撒砂系统不能完全手动控制、空气压缩机不打风或打风慢等一些惯性质量问题进行分析,并提出了相应的解决措施。     

人工红树林碳通量变化特征及其影响因素分析

红树林是重要的滨海蓝碳生态系统.人工红树林在恢复过程中碳交换过程受到气候、植被等环境的影响,与成熟红树林呈现较大差异.本研究采用闭路涡动相关系统对珠江河口人工红树林湿地生态系统进行二氧化碳(CO₂)通量和甲烷(CH₄)通量的观测,并基于通径分析方法探讨了环境要素对总初级生产力(GPP)、生态系统呼吸(R_e)、CO₂和CH₄通量的影响.结果表明：CO₂通量呈现明显的日变化特征,受到GPP和R_e的协同影响,其季节变化特征不明显;CH₄通量则呈现明显的季节变化特征.2019—2020年CO₂年通量为74.9～138.4 g·m^-2·a^-1(以C计,下同),CH₄年通量为25.1～25.9 g·m^-2·a^-1.CO₂变化特征受到GPP的直接影响,总辐射(R_a<...     

全耗尽绝缘层上硅技术及生态环境简介

随着半导体技术节点微缩到3 nm及以下,晶体管的尺寸难以进一步缩小,导致了成本优势的减小。功能性和功耗成为物联网、可穿戴设备、汽车电子等应用的主要关注点,为满足这些需求,全耗尽绝缘层上硅（Fully Depleted Silicon on Insulator, FDSOI）技术被进一步研发和产品化。对FDSOI技术的特点和生态环境进行了总结。FDSOI利用体偏置平衡功耗与性能,采用应力优化提高迁移率,通过减薄硅膜厚度抑制短沟道效应并减小寄生电容,因此被应用到低功耗处理器、低噪声放大器、嵌入式存储器等低功耗产品。FDSOI具有巨大的市场潜力,将成为半导体技术一个重要的发展方向。