如何有效进行工程造价的全过程控制

在工程项目管理过程中,质量、进度和投资的控制是项目管理的三个最为主要的目标,其中投资的控制是整个工程项目管理的核心内容,在保证工程质量和进度满足既定要求的情况之下,通过合理的组织和管理措施来使投入成本降到最低。投资的控制贯穿于项目实施的全过程,对于工程造价的确定和控制对于工程项目实施过程中的各个参与方都有着非常重要的意义。而在工程项目实施的过程中,概算高于估算和预算高于概算的情况时有发生,很多项目投资者为此困扰不已,甚至很多项目由于预算高于概算的情况不断发生而且愈演愈烈,最终出现整个项目的投资失控,给建设单位的项目实施带来了极大的困难,甚至是危及到建设单位企业自身的生存。     

光电薄膜SnS的制备及其性能

在溶液的pH=2.7,离子浓度比Sn2+/S2O2－3=1/5和电流密度J=3.0mA／cm2的条件下,用阴极恒电流沉积法在ITO导电玻璃基片上制备出了Sn0.995S1.005膜层,并用扫描电镜观察了该薄膜的表面形貌，发现其颗粒较均匀，粒径大小在200～800nm之间．用X射线衍射分析了其物相结构，表明它是具有正交结构的SnS多晶薄膜．通过测量薄膜样品的透射光谱和反射光谱，计算得到其直接禁带宽度Eg=1.23eV．用四探针法测得其导电类型为p型，电阻率为7.5Ω·cm.     

光电薄膜SnS的制备及其性能

在溶液的pH=2.7,离子浓度比Sn2+/S2O32-=1/5和电流密度J=3.0mA/cm2的条件下,用阴极恒电流沉积法在ITO导电玻璃基片上制备出了Sn0.995S1.005膜层,并用扫描电镜观察了该薄膜的表面形貌,发现其颗粒较均匀,粒径大小在200～800nm之间.用X射线衍射分析了其物相结构,表明它是具有正交结构的SnS多晶薄膜.通过测量薄膜样品的透射光谱和反射光谱,计算得到其直接禁带宽度Eg=1.23eV.用四探针法测得其导电类型为p型,电阻率为7.5Ω·cm.     

阴极恒电流法电沉积SnS薄膜

用阴极恒电流沉积法制备SnS薄膜。研究了溶液的pH值、离子浓度比、电流密度等电沉积参数对薄膜组分的影响,得出制备SnS薄膜的理想的工艺条件为:pH=2.7,Sn2+:S2O32-=1:5,J=3.0mA·cm-2,t=1.5h,并制备出了成分为Sn0.995S1.005的膜层。用扫描电镜观察了该薄膜的表面形貌,用X射线衍射分析了其物相结构,表明它是具有正交结构的SnS多晶薄膜,晶粒大小不一,在200-800nm之间。用分光光度计测量了该薄膜在400-3000nm波段的透射光谱和吸收光谱,发现其在400-900nm波段的透过率较低,在950-1000nm附近有明显的吸收边,在波长大于1000nm后其透过率较大。     

阴极恒电位法电沉积SnS薄膜的性能研究

在溶液的pH=2.7,离子浓度比[Sn2 ]/[S2O32-]=1/5的条件下,通过调节沉积电位在-0.60~1.10V(vsSCE),在ITO导电玻璃基片上电沉积SnS膜层。实验表明:沉积电位在-0.72~-0.75V(vs SCE)范围内时,制备出的SnS薄膜的Sn和S的化学配比非常接近1∶1的理想值。用X射线衍射分析其物相结构,结果表明它是具有正交结构的SnS多晶薄膜。用扫描电镜观察该薄膜的表面形貌,发现该薄膜颗粒较细,均匀性较好。通过测量薄膜样品的透射光谱和反射光谱,计算得到其直接禁带宽度Eg=1.31eV,与SnS体材的带隙(1.3eV)非常接近。该薄膜的导电类型为p型,电阻率的数量级为10-3Ω.cm。     

温度对电沉积的SnS薄膜的结构和性能的影响

在溶液的pH=2.7,离子浓度比Sn2 /S2O32-=1/5,沉积电位为-0.72～-0.75V(vs.SCE)的条件下,控制溶液的温度在30～50℃之间变化,用阴极恒电位电沉积法在ITO导电玻璃基片上沉积SnS薄膜.通过对薄膜的结构和光学性能研究,结果表明:溶液的温度越高,制备出的SnS薄膜更加致密,均匀,薄膜的衍射峰也越来越明显;同时SnS薄膜对光的吸收范围也向长波方向拓宽.