在表面活性剂存在下邻氯苯基萤光酮与钨的显色反应的研究

在长链季铵盐存在下,三羟基萤光酮类试剂可用于测定许多高价金属离子。使用这类试剂来进行测定具有灵敏度高,选择性较好,稳定性好,速度快,操作简便等优点。 本文应用尚未见诸文献的新型三羟基萤     

直拉硅片中间隙氧和硼对太阳电池光衰减影响的研究

为研究间隙氧和硼对于硅片少子寿命和光衰减的影响，实验中采用不同氧碳含量、不同掺杂浓度的p型(100)的直拉硅(Cz-Si)片制作太阳电池，设计了不同温度、气氛的热处理工艺。发现：太阳能级直拉单晶硅片中间隙氧含量和硼的掺杂浓度的不同对于硅片少子寿命的影响有一定的规律；硅片少子寿命值在650℃热处理时有轻微下降，而在后续650℃和950℃的热处理中有着显著的提高。当电阻率一定时，低氧的样片有利于少子寿命的提高；而在氧含量相同的情况下，掺杂硼的浓度越低，对于少子寿命的提高越有利。     

9-(2′-吡啶基)-2,3,7-三羟基荧光酮—CTMAB胶束增敏分光光度法测定微量钼

在阳离子表面活性剂存在下,一种杂环取代荧光酮试剂9-(2′-吡啶基)-2,3,7-三羟基荧光酮;在稀盐酸介质中可以与钼(Ⅵ)离子形成一种红紫色配合物。配合物的最大吸收峰位于536nm,相应的摩尔吸光系数ε586=1.25×10~5。配合物中Mo:2′-PyF的摩尔比为1:1。方法具有较高的选择性,可用于某些含钼合金钢中微量钼的直接测定。     

硅光单体电源铝背场吸杂对非平衡少子寿命的影响

采用φ100mm厚度400μm、电阻率为0.8～2Ω·cm的p(100)CZ硅片制作硅光单体电源,并对RTP和铝背场烧结工艺进行了研究.实验发现:快速热退火工艺对硅片少子寿命产生一定影响.铝背场烧结和适当的快速热处理促成了硅片界面晶格应力对重金属杂质的吸附作用,并减少了载流子的复合中心,从而提高了光生载流子的扩散长度,提高了非平衡少子寿命.     

硅光单体电源铝背场吸杂对非平衡少子寿命的影响

采用φ100mm厚度400μm、电阻率为0.8～2Ω·cm的p(100)CZ硅片制作硅光单体电源,并对RTP和铝背场烧结工艺进行了研究.实验发现:快速热退火工艺对硅片少子寿命产生一定影响.铝背场烧结和适当的快速热处理促成了硅片界面晶格应力对重金属杂质的吸附作用,并减少了载流子的复合中心,从而提高了光生载流子的扩散长度,提高了非平衡少子寿命.     

钼-9-(3''''-吡啶基)-2,6,7-三羟基荧光酮-CPB胶束显色体系的分光光度研究

在弱酸性介质中,钼与一种新的荧光酮试剂—9-(3′-吡啶基)-2,6,7-三羟基荧光酮在阳离子表面活性剂澳化十六烷基吡啶存在下可以形成一种红紫色的配合物。配合物的最大吸收峰位于537nm,其表观摩尔吸光系数ε_(537)=1.15×10~5L·mol~(-1)·cm~(-1)。配合物中钼与显色剂的摩尔比为1:1。钼含量在0～12μg/25 mL 时符合比耳定律。方法有较强的抗干扰能力,其中允许有较大量的钛存在。方法曾用于某些含钼合金钢及低碳钢的分析,结果满意。