非晶硅p-i-n电池中空穴的收集长度

测量p-i-n电池单色光的光生电流随外电压的变化,可得出空穴的收集长度。空穴的μτ乘积在3×10~(-9)—1×10~(-8)cm~2/V,空穴收集长度和电池的填充因子有对应关系。由收集长度随外电压的变化可解释电池的收集效率随外电压的变化,只有FF很差的p-i-n电池,偏置光强才影响光生载流子的收集。一般的p-i-n电池,在不加偏置光条件下测得的收集效率反映AM1光强下的情况,这使p-i-n电池的测试更加简单。     

Pt/a-Si肖特基太阳电池的退火效应

我们用射频溅射代替电子束蒸发制作(?)100mm的太阳电池,Pt的消耗量仅万分之一克左右。为了消除射频溅射造成a-Si表面的损伤和界面态的增加,在电池制成以后对它进行了适当的退火,使V_(oc)和j_(sc)分别提高40％和30％左右。经退火和加上减反射膜的单体电池,其性能如下:V_(oc)=595mV,I_(sc)=14.1mA/cm~2,FF=0.49,η=4.1％(电池面积为     

p(a-SiC:H)/i(a-Si:H)异质界面分析

本文讨论Glass/ITO/p(a-SiC:H)/i(a-Si:H)/n(a-Si:H)/Al结构太阳电池中i层C污染对开路电压Voc、填充因子FF、收集长度L_c及收集效率η的影响,并从机理上做了比较详细地分析.我们的实验结果表明:解决好p/i界面问题和减少i层中C的污染是制备出高效率a-SiC:H窗口非晶硅pin结构太阳电池的关键之一.     

转换效率为7.9%的非晶硅PIN电池的获得

目前,国际上通用两种方式制备α-siPIN太阳电池,即单反应室和分离反应室。前者由于设备简单,仍受到人们的相当重视。过去,我们在单反应室里制作的PIN太阳电池,其转换效率一直徘徊在4.2%。后来,我们对反应室的进气排气系统,基片安放及加热方式等做了改进,并采取措施减少系统的污染。在经过数百次单项试验和根据器件物理的要求对制备参量进行优选的基础上,使单反应室制作的非晶硅PIN电池的转换效率提高到7.9%。     

Au/a-Si肖特基势垒太阳电池退化的研究

引言 在几种主要形式的a-Si太阳电池中,肖特基电池出现最早,尽管它的开路电压受到一定的限制,但由于它制造容易,在研究a-Si的光电特性时,至少可以作为一种手段。对于肖特基势垒的a-Si电池来说,能否付诸实用,关键是它的长期稳定性。因此研究它的退化机制,并在此基础上寻求适当的克服方法,是这一领域的研究重点。有的报道指出,退化是