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本文推导了一种可简便、准确、直观计算和分析pn结I–V特性的公式和方法,并应 用该方法对两类典型HgCdTe环孔pn结的I–V、RD–V特性进行了计算和拟合;得到了表面欧姆(反型沟道)漏 电导、二极管理想因子n随电压的分布等反映二极管结特性的重要参数。计算结果表明,对于长波HgCdTe 光伏器件而言,表面漏电流在整个暗电流中所占的比重相当大,表面漏电流严重地制约着器件性能。HgCdTe 材料的晶体缺陷会使二极管的理想因子n增大,从而使产生–复合电流及陷阱辅助隧穿电流增加。 相似文献
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采用溶胶-凝胶旋涂法在玻璃衬底上制备了不同厚度的ZnO:Li半导体薄膜.采用X射线衍射仪和扫描电子显微镜分析了薄膜的物相结构和形貌,用Hall效应测量仪常温下测量薄膜的电学性能.结果表明:该薄膜具有高度的c轴择优取向性,所有薄膜只有1个(002)衍射峰,并且衍射强度随着膜厚增加而加强.ZnO:Li薄膜晶粒呈柱状,晶粒直径不随膜厚改变,约为40 um.ZnO:Li薄膜为P型导电,薄膜越厚,其电学性能与晶体结晶越好,(002)方向择优取向生长越明显.电阻率随着膜厚增加而减小,最小的电阻率为1.32×102(Ω·cm).载流子-空穴浓度为3.546×1016/cm3,迁移率为1.34cm2/(V·s).ZnO:Li薄膜在可见光范围内的透过率达到90%,薄膜对紫外光的吸收与厚度有关. 相似文献
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用高频溅射法在P型硅衬底上生长了纳米硅薄膜,衬底温度控制在95%左右,工作气体选用H2+Ar,氢气的分压控制在31%到70%,同时改变薄膜的沉积时间。Tauc曲线显示出用射频溅射法制备的薄膜是一种宽带隙材料。结合实验数据,在HQD理论基础上,给出了这种薄膜的能带结构图,并在理论和实验上分别对薄膜的I-V特性进行了研究。 相似文献
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在钙钛矿太阳电池的制作过程中,通过改善旋涂方法和条件,可大大提高钙钛矿吸收层的结晶性以及太阳电池的光电转换性能。与常规的一次性旋涂方法相比,采用连续二次旋涂方法制作的钙钛矿薄膜更加致密,结晶性明显提高。旋涂时前驱液和衬底的温度会影响钙钛矿层的晶体结构,温度为60℃时,钙钛矿的平均晶粒尺寸约为500 nm,且晶粒之间致密排列,导致光学带隙增加。采用连续二次旋涂方法,在加热温度为60℃时制作的钙钛矿太阳电池的光电转换效率达到14.7%,其中短路电流密度、开路电压和填充因子分别为18.9 m A/cm~2、1.13 V和69%。与常规钙钛矿太阳电池相比,开路电压提高约100 m V。依据暗态J-V测试结果,二次旋涂工艺条件下,该光伏器件的反向饱和电流密度约为10~(-5)m A/cm~2,比一次旋涂工艺降低3个数量级。 相似文献
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用能损的二分量理论详细讨论了快速荷电粒子在同素异形态Si薄膜中的能量沉积过程。在Bethe-Bloch公式中引入了一个能损修正因子η(E,ρ)≤1。由入射粒子在固体中产生传导电子的集体激发和附有修正因子η(E,ρ)的内壳层电子单体电离-激发之和解释能损的同素异形态效应的实验结果,通过对实验数据的拟合,救是η(E,ρ)。 相似文献
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Solar cell grade crystalline silicon with very low reflectivity has been obtained by electrochemically selective erosion.The porous silicon(PS) structure with a mixture of nano-and micro-crystals shows good antireflection properties on the surface layer, which has potential for application in commercial silicon photovoltaic devices after optimization.The morphology and reflectivity of the PS layers are easily modulated by controlling the electrochemical formation conditions(i.e., the current density and the anodization time).It has been shown that much a lower reflectivity of approximately 1.42% in the range 380-1100 nm is realized by using optimized conditions.In addition, the minority carrier lifetime of the PS after removing the phosphorus silicon layer is measured to be ~3.19 μs.These values are very close to the reflectivity and the minority carrier lifetime of Si3N4 as a passivation layer on a bulk silicon-based solar cell(0.33% and 3.03 μs, respectively). 相似文献