SOI全介质隔离与高频互补双极兼容工艺

ＳＯＩ材料的全介质隔离技术与高频互补双极工艺的结合是研制抗辐照能力强、频带宽、速度高的集成运算放大器的理想途径，从实验的角度提出了一种ＳＯＩ材料全介质隔离与高频互补双极工艺兼容的工艺途径。     

海底沉积物中天然气水合物生成和分解规律研究进展

对国内外有关海底沉积物中天然气水合物生成和分解规律方面的研究进行了详细调研,得到如下结论:天然气水合物的生成和分解条件在海底沉积物中与在井筒、管道中有明显不同,其主要原因是多孔介质中流体与孔隙壁面间的界面效应对海底沉积物中天然气水合物的形成条件会产生明显影响;在海底沉积物中天然气水合物生成和分解条件的数值模拟技术研究方面,研究者大都假设以天然气水合物作为盖层的成藏类型,借助常规油气藏数值模拟技术进行模拟研究;影响海底沉积物中天然气水合物生成和分解条件的因素很多,因此海底沉积物中天然气水合物生成和分解规律研究必须借助试验模拟、数值模拟和现场测试相结合的综合方式进行。该调研成果可为今后天然气水合物经济有效开采技术方案选择和进行天然气水合物危害控制等提供参考。     

一种新型声波降粘防蜡装置

新型声波降粘防措装置由上、下接头、振动簧片和收缩喷嘴构成。装置安装在抽油泵泵简之下，尾管之上，在压差作用下井下流体以较大速度从装置的喷嘴射出，冲击振动簧片，产生机械振动声波，油水混合液在声波中产生相应的声波力学效应和分散乳化作用等，使混合液在油管内的粘度降低，蜡晶不易聚集长大，从而达到降粘防蜡延长油井热洗周期的目的。室内试验及现场近20口井的应用情况表明，这种装置具有结构简单、成本低廉、应用方便等特点，具有明显的降粘防蜡效果。     

1μm宽硅深槽刻蚀技术

介绍了硅深槽刻蚀的基本原理和影响刻蚀效果的几个主要工艺因素。提出了一种实现１μｍ宽的硅深槽刻蚀工艺途径；并给出了１μｍ宽、８μｍ深、侧壁及底部光洁的硅深槽刻蚀工艺条件。     

立管系统中严重段塞流的一维瞬态模型

严重段塞流主要出现在下倾管段、紧接有一上倾管段或立管段的气、液两相混输海底管道中。根据严重段塞流形成的4个阶段,从一维瞬态流体力学方程出发,建立了一个简化的、准平衡态的严重段塞流数学模型,该模型考虑了流体的物性及流动瞬态效应,可对严重段塞长度、段塞周期、流动速度、压力等特性参数的变化进行模拟。与其他瞬态多相流模型相比,本文模型具有数学模型简单、计算效率高的特点。数值模拟结果表明:当管径较小时,无论介质是空气和水,还是空气和油,由本文模型计算得到的段塞周期和压力结果都与实验数据吻合较好;当管径较大时,若介质为空气和水,则本文模型计算结果与OLGA软件模拟结果较接近;若介质为石油和天然气,在模拟工况范围内,除了小气量工况下偏差较大外,本文模型计算结果与OLGA软件模拟结果相比,段塞周期偏差在25%以内,压力偏差在10%以内;此外,用本文模型计算液塞生长阶段时间t1比Saga-tun模型模拟结果更接近实测结果。     

卫生陶瓷产品修补技术的研究

分别从冷补、渍补、打磨修补及修补复烧四个方面介绍了卫生陶瓷产品的修补技术,并从用料、操作等多方面探讨了目前存在问题及解决办法。     

基于RS-485总线的有害气体监测系统设计

本文以电阻式烟雾传感器和单片机技术为核心,设计了一个能够同时监测温度和有害气体浓度的系统。选用MQ-2型半导体可燃气体敏感元件烟雾传感器实现烟雾的检测,具有灵敏度高、响应快、抗干扰能力强、价格低廉、使用寿命长等优点。主机与从机通过RS-485总线串行通信,设定从机固定发送,主机固定接收。主机设置功能键,分别显示当前时间、温度和有害气体数据。     

Linux平台下数控系统实时控制的研究

开发基于Linux下的数控系统具有重要意义。通过分析Linux中断机制和内部结构，提出了在Linux平台下实现实时控制功能的几种方法，并分别进行了较详细的阐述。     

富钛BaO-TiO2(Ti/Ba=4～4.5)系微波介质陶瓷

采用固相反应法制备了富钛BaTi4+xO9+2x(x=0.0-0.50)微波介质陶瓷,探讨了TiO2含量以及烧结温度对物相组成和介电性能的影响.在1300～1350 ℃烧结BaTi4+xO9+2x陶瓷即可达到约98%的相对密度.当x≤0.28时,BaTi4+xO9+2x陶瓷为BaTi4O9单相.随TiO2含量的增加,BaTi4+xO9+2x陶瓷从BaTi4O9单相逐渐转变成以BaTi4O9为主相,同时出现TiO2和Ba2Ti9O20相,并且随烧结温度提高,TiO2含量较多的试样中出现更多的Ba2Ti9O20相.随TiO2含量的增加介电常数逐渐增大,而Qf值呈下降趋势.Qf值从x=0.0时的约40 000 GHz逐渐降低至x=0.50时的15 000 GHz.