静电照相光电测试系统的研制

本文介绍了光导材料的组成及静电照相成象过程,详细说明了光电测试系统的结构、原理及性能。     

稀土金属抛光金刚石膜技术

研究开发了一种有效地抛光化学气相沉积金刚石厚膜的技术。该技术利用化学活性很强的稀土金属镧的金刚石的化学反应，在一定的工艺条件下可对金刚石膜进行有效的抛光。抛光绵高低与抛光温度有关，在温度大于９００℃时抛光效率较高，可达３４μ／ｈ，表面度可从原来的Ｒａ １２μｍ降至Ｒａ１．６μｍ，如用于后续的精抛光，可大大光的时间和提高抛光效率，使表面十分粗糙的金刚石厚膜的精抛光能得以经济地进行。     

单层结构ε－CuPc光导体的静电照相特性──ε－CuPc的浓度的影响

本研究将ε－酞菁铜（ε－ＣｕＰｃ）按不同浓度分散在一种聚酯树脂（Ｖｙｌｏｎ２００）中，并布在铝板基上构成光导体。测试结果表明，这种光导体可用作正充电或负充电光导体，但在相同的有效充电电位下，即，在Ｖ－Ｖ＿Ｔ（其中Ｖ＿Ｔ为临界充电电位）相同的条件下，负充电的表面饱和电压高于正充电的表面饱和电压。当ε－ＣｕＰｃ的质量分数超过４０％时，光导体的暗衰减速度过快；当ε－ＣｕＰｃ的质量分数低于２０％时，暗衰减速度虽然得到控制，但光衰减速度太低，而且残留电位大幅度增高。ε－ＣｕＰｃ的质量分数在３０～４０％被认为是适当的。     

阻挡层对静电潜影稳定性的作用

本文介绍了静电照相的基本原理，考察了在光导体与基板之间和在光导体表面加入阻挡层，阻挡层材料及厚度对静电潜影的影响。     

CVD金刚石膜的断裂行为

采用球环法研究了用大功率ＤＣＰｌａｓｍａＪｅｔＣＶＤ沉积的无衬底自支撑金刚石厚膜的断裂强度和断裂韧度，并试图探索其与原始显微组织特征（特别是晶粒度）的关系。发现ＣＶＤ金刚石膜的强度和断裂韧度均远低于天然Ⅱａ型宝石级金刚石单晶。对于未抛光的试样，数据的离散程度掩盖了任何可能存在的规律性，而对于经过抛光的试样，研究结果表明与众所周知的ＰｅｔｃｈＨａｌ公式有相当好的吻合，说明细化晶粒仍然是提高ＣＶＤ金刚石膜力学性能的有效途径。预先存在的内部裂纹是ＣＶＤ金刚石膜强度低的重要原因之一。