PIN结构GaInAsSb红外探测器的PSPICE模型

研究了PIN结构GaInAsSb红外探测器的暗电流特性，建立了器件的PSPICE模型。模拟结果与实际测试结果基本符合。计算结果表明，器件表面和内部的缺陷及表面复合电流对器件的反向特性起主要作用，当反向偏压大于0.35V，缺陷引起的隧穿电流对器件暗电流起主要作用。     

GaAs／AIGaAs双量子阱结构的子带光学吸收

利用微观运动方程计算了超快红外泵浦光引起的半导体双量子阱结构的子带间极化。基于自洽场理论，可以求出瞬态探测光吸收系数。这一方法没有采用稳态假设。计算了不同泵浦强度和泵浦探测延时的吸收系数。利用这一模型可以计算半导体微结构中的相干载流子的控制问题。     

一种扩频通信系统的实现

针对扩频通信系统的工程应用,介绍了一种通过直接序列扩频实现的方式,系统的硬件架构采用单片机+FPGA实现,在此基础上提出了采用64 bit M序列作为扩频序列与数据运算完成信号的频谱扩展,采用匹配滤波器的方式进行信号的检测。针对降低系统误捕获的概率,提出了门限与捕获间隔相结合的方式。最后通过仿真计算给出了扩频通信系统的性能曲线。     

小型化前倾毫米波双狭缝天线的设计与制作

常规侧向探测天线主波束垂直于天线辐射面,会导致飞行探测漏报率高,因此有必要研究具有前倾探测功能的天线,以提高探测准确率。基于HFSS软件,设计了狭缝天线结构。设计的输入参数如下：频段为36.85~37.15 GHz,收发隔离度优于50 dB,前倾角为20°~24°,旁瓣抑制度要求大于-10 dB,天线长度小于85 mm,方位角大于80°,俯仰角小于11°,增益大于11 dB。测试结果表明,天线增益为12 dB,在36.85~37.15 GHz条件下,方位角位于116°~134°之间,俯仰角位于8°~9°之间,前倾角在22°~24°之间,旁瓣抑制度位于-11.45~-14.60 dB之间,且波束方向可控。在36.5~37.5 GHz频率范围内,驻波比保持在1.413以下,收发隔离度保持在-51.132以下,天线总长度为83 mm。该天线的测试结果与设计一致,能满足设计要求,为无人机侧向探测器提供天线技术支撑。     

GaAs/AlGaAs双量子阱结构的子带光学吸收

利用微观运动方程计算了超快红外泵浦光引起的半导体双量子阱结构的子带间极化。基于自洽场理论 ,可以求出瞬态探测光吸收系数。这一方法没有采用稳态假设。计算了不同泵浦强度和泵浦探测延时的吸收系数。利用这一模型可以计算半导体微结构中的相干载流子的控制问题。