高纯硅中新的浅施主中心

报道了N型高纯区熔硅单晶的高分辨率光热电离光谱（PTIS），观察到2个新的谱线系列，结果表明新的谱线系列可能与2个“类氢”复合型浅施主中心（NSD）有关，其浓度低达－10^9cm^-3，电离能分别为36．61meV和36．97meV，另外，对P和NSD（1）都观察到以前未能分辨的与6p±以上杂质激发态有关的谱线，分析表明，NSD可能是晶体生长过程中产生的，氧可能在其中起重要作用。     

保证桑蚕丝织物耐光色牢度的探讨

对桑蚕丝织物的耐光色牢度进行了较系统的试验。结果认为，要保证桑蚕丝织物的耐光色牢度，应尽可能选用蒽醌结构和金属络合结构的染料，并努力开发耐光色牢度较好的染料，建立较为完整的色谱，探索提高印染绸耐光色牢度的加工技术。     

保证桑蚕丝织物耐光度牢度的探讨

对桑蚕丝织物的耐光色牢度进行了较系统的试验。结果认为，要保证叠蚕丝织物的耐光色牢度，应尽可能选用蒽酯结构和金属络合结构的染料，并努力开发耐光色牢度较好的染料，建立较为完整的色谱，探索提高印染绸耐光色牢度的加工技术。     

超纯Ge中剩余浅施主的光热电离光谱

报道了高纯Ge单晶中剩余浅施主的高分辨率光热电离光谱。不仅观察到P、As和D(Li,O)复合施主化较低基态到各激发态的一系列较强尖锐跃迁谱线还观察到P及As从三重基态1S(T_2)到各激发态的较弱跃迁谱线。由此更精确地得出P、As的1S基态分裂值4A分别为22.74cm~(-1)(2.82meV)和33.980m~(-1)(4.21meV)。     

硅价带自旋-轨道分裂的高分辨率光电导谱测定

采用高分辨率光电导谱观察到高纯区熔硅单晶中剩余硼受主从基态到各共振激发态的p_(1/2)系列跃迁谱线.考虑裂开P_(1/2)价带的非抛物线性,精确得到了硼杂质从基态到P_(1/2)价带的电离能E_1~*(硼)=88.45±0.01meV,进而获得硅价带的自旋-轨道分裂为△_o=42.62±0.01meV.     

硅中浅杂质的高激发态(英文)

Photothermal ionization spectroscopy (PTIS) has revealed highly excited states of both shallow donors and acceptors in ultra-pure silicon. At least eight discrete lines associated with the highly exeited states that are higher than 6p, level of phosphorus donors have bsen observed in the photothermal ionization spectra of n-type ultra-pure silicon. For p-type ultra-pure silicon, up to 12 discrete lines and fine structures of the lines associated with the excited states of boron acceptors have also been observed. The assignment of the lines has been made and discussed according to the effective mass theory(EMT) of shallow impurities in silicon.     

产品质量监督检验

自1983年以来,浙江省计经委和浙江省标准计量局建立了二十多所产品质量监督检验所(站),负责对全省各行业的产品质量监督和社会流通领域的产品质量监督。我站作为首批建立的九所质检站中的一员,承担全省丝绸产品质量监督任务,对一百多家丝绸产品生产企业进行了产品质量监督检验,通过调查发现,目前许多企业对产品质量缺乏一定认识和了解,为此,特借《丝绸》一隅,向丝绸产品生产企业作一介绍。     

保证绸缎产品质量测试结论准确性的探讨

简要介绍绸缎产品质量测试中确保评定结论正确性应考虑的问题和必需具备的条件,扼要阐述了采用格拉布斯准则进行可疑数的分析判断。     

用傅里叶变换光谱仪同时测定半导体浅施主和浅受主杂质浓度的装置

报道了一个与Nicolet 200SXV傅里叶变换光谱仪联用的可同时测定半导体样品中浅施主和浅受主杂质浓度的实验装置,介绍了用该装置同时测定硅样品中杂质硼和磷浓度的实验。