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1.
在综合分析了多种线性及非线性畸变后,建立了三次多项式图像系统畸变模型。采用基于控制点偏差目标函数最小优化法进行畸变模型的求解,并通过计算自标定偏差均方差与互标定偏差均方差对标定结果进行了评定。结果表明,模型求解误差为0.22 μm,通过校正标记图像几何畸变引入的定位误差由2.5 μm降低到0.25 μm,可实现压印对正系统中标记图像几何畸变的校正,实现精确定位。  相似文献   
2.
实验室中标准物质主要用于质量控制、仪器校核、实验室之间方法比对。标准物质规范化管理,需从台帐建立、核查参数、核查方法进行,这样才能更好地提高检测数据的准确和可靠性。  相似文献   
3.
原雯  关宏武  李红 《全面腐蚀控制》2010,24(11):31-32,36
简要论述了X射线荧光法测定石油产品中硫含量的简单原理、分析流程和实验结果,结果表明该方法不仅快速、简便,而且精密度较好。适用于测定包括原油、石脑油、馏分油、燃料油、渣油等样品的硫含量。应用X-荧光光谱法测定石油产品中硫含量结果与库仑法相比较,精密度更高,结果更准确,并且具有操作方便、速度快、重复性良好等优点。  相似文献   
4.
晶片的洁净程度直接决定了晶片的价值,而晶片最前端工艺就是清洗。现代化超声技术的应用可让晶片更洁净。超声波清洗的功率、频率、尺寸、安装方式的选择都与晶片清洁程度有着密切关系。主要对超声波的原理和频率的选定进行了介绍。  相似文献   
5.
针对芯片制造商对设备低投入高产出的要求,介绍了能将多种工艺集成在一起的工作台SAT(喷酸系统)与SST(喷雾溶剂系统),详细介绍了其工作原理及特点,并与清洗机+甩干机传统清洗及刻蚀方式进行了详细对比,根据厂商实际使用效果,可以看出这两种集成工作台可以有效降低成本,提高生产效率。  相似文献   
6.
湿法刻蚀及其均匀性技术探讨   总被引:1,自引:0,他引:1  
湿法刻蚀是化学清洗方法之一,是一种在半导体制造过程中被广泛应用的工艺,具有对器件损伤小、设备简单等特点。本文介绍了湿法刻蚀工艺的原理、工艺过程以及应用,分析了影响湿法刻蚀均匀性的主要因素,并提出提高刻蚀均匀性的方法。  相似文献   
7.
随着半导体工艺的不断发展,其对设备颗粒度的要求越来越高,文章分析了沾污产生的原因及出处,并对各种沾污进行了分析,并指出了解决方向,在很大程度上指导了半导体生产和研发环境的建立及完善。  相似文献   
8.
针对高端精密制造业中一些转轴机构的偏摆值难以测量的问题,设计了一种偏摆测量装置,实现将转轴机构的偏摆测量转化为对测量装置的偏摆测量,实现了微量偏摆的测试。通过实验测试,以一组数据为例,利用拉依达准则对样本数据进行处理,获取目标偏摆值区间。测量结果表明能够满足设计指标要求。与传统测量方法相比,偏摆测量装置结构简单,操作便捷,成本低,提高效率的同时保证了测量的可靠性。  相似文献   
9.
针对现有运动轴性能测试方法的缺点,提出了基于激光追踪仪的测量方法,其核心思想是将运动轴性能测试转化为数学问题。首先选用高精度直线模组构造垂向运动测试装置,并明确了直线模组的必备选型指标;其次以运动直线度、运动姿态和重复定位精度为例,系统介绍了其测量原理、测量流程和数据处理方法;最后通过对比实验完成了测试方法的可行性分析,结果表明激光追踪仪反射镜测试方案测量精度高、更符合实际。依托激光追踪仪可实现集成过程与测量环节的有机统一,为提升产品性能和精度提供了可靠保障。  相似文献   
10.
全自动太阳能制绒设备的工艺对电池片非常重要,通过与厂家合作研究所得的工艺数据为基础,对制绒设备的工艺进行简单总结,并针对工艺对设备进行不断的完善与改进。  相似文献   
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