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1.
2.
顶板隔水层关键层耦合作用规律研究 总被引:4,自引:0,他引:4
在煤矿开采过程中,如果覆岩裂隙扩展至贯穿隔水层,则会诱发地下水或地表水大量涌向采场,导致煤矿淹井事故.利用RFPA^2D-Flow软件建立了隔水层关键层耦合的采场推进模型,计算并分析了裂隙场的发育和分布,绘制了顶板水渗流量曲线.讨论了与裂隙发育密切相关的覆岩支承压力与中间岩层厚度、关键层厚度及破断闻的关系.结果表明:关键层未破断时,中问岩层厚度对隔水层裂隙发育作用不明显;厚关键层对隔水层能起较好的保护作用. 相似文献
3.
采用分子束外延技术(MBE)生长了GaAs/AlGaAs单量子阱和多量子阱材料.采用GaAs/AlGaAs超晶格缓冲层掩埋衬底缺陷,获得的量子阱结构材料被成功地用于制作量子阱激光器.波长为778nm的激光器,最低阈值电流为30mA,室温下线性光功率大于20mW. 相似文献
4.
综放沿空小断面留巷技术研究 总被引:2,自引:0,他引:2
随着开采强度的增加,综放工作面的瓦斯超限问题日益突出.以王庄煤矿5201综放面为例,提出采用综放沿空小断面留巷技术,布置J型通风系统,治理综放工作面瓦斯超限.由关键块的分析和数值模拟结果,确定了综放沿空小断面留巷的断面形状,给出了斜梁的合理支护设计.矿压观测结果表明,留巷小断面变形以及留巷煤帮深部位移有较好的收敛性,能够满足工作面抽放瓦斯的需要. 相似文献
5.
本文通过高分辨电子能量损失谱(EELS)的实验分析与密度泛函计算相结合的方法,研究了NaxCoO2·yH2O系统的电子结构特性和电子关联效应.实验结果表明,金属性Na0.3CoO2材料和电荷有序绝缘体Na0.5CoO2的O-K吸收边存在明显的结构差别,在Na0.5CoO2的EELS中第一个峰发生明显分裂,密度泛函计算证实这种分裂现象和电子关联效应直接相关.通过理论模拟谱线与实验谱线的比较确定了其电子关联强度为U=3.0 eV.在Na0.3CoO2·yH2O(y=0,0.6,1.3)超导体系中,实验发现其能损谱的低能部分随着水含量的增加发生系统的变化,损失峰向低能量方向逐步移动.电子结构计算表明水分子的插入可以引起费米面附近能态原子轨道杂化情况的改变,从而导致EELS的变化. 相似文献
6.
随着我国油气管道事业的快速发展,硫化氢腐蚀已成为油气管道面临的一项主要的腐蚀失效形式。针对钢制油气管道的硫化氢腐蚀阴极、阳极反应机理进行了介绍,同时阐述了腐蚀的环境影响因素及其作用机理。介绍了动电位极化曲线测试、电化学阻抗谱测试和电化学噪声技术等较为成熟的钢制油气管道的硫化氢腐蚀电化学研究方法,并对电化学噪声信号的深入处理和恒电位脉冲技术的应用进行了展望。 相似文献
7.
综放开采J型通风采空区渗流场数值分析 总被引:4,自引:1,他引:4
以潞安矿区王庄煤矿5201综放面通风和瓦斯抽放为背景,分析J型和U型通风时采空区破碎岩体内的渗流和瓦斯浓度分布规律。J型通风采空区渗流为“一源两汇”,并有明显取近道的趋势,J型通风比U型通风更有利于瓦斯排放。为建立破碎岩体渗流数值模型,还兼顾分析采空区上方的支承压力,得出该处支承压力的分区特征。 相似文献
8.
2002年度全国烟叶质量评价分析 总被引:7,自引:0,他引:7
从全国18个省的76个烤烟取样点取样228个、5个白肋烟取样点取样15个、3个香料烟取样点取样6个,进行外观质量鉴定、物理特性测定、化学成分分析、评吸质量评价及农药残留分析,并与津巴布韦及巴西烤烟样品比较。对2002年全国主产区烟叶质量状况做出如下评价:烤烟外观质量有明显提高,微带青、杂色叶片大量减少。此次测定的样品中外观质量接近进口烟叶的下部、中部及上部叶所占比例分别为28.0%、32.9%及23.4%;多数产地的中下部烟叶物理特性较好,接近或等同于2002年进口烟叶;烟叶化学成分有较大改善,氯离子、总氮含量与进口烟叶相当,烟叶烟碱及淀粉含量有不同程度的降低,但仍有部分产地烟叶烟碱及淀粉含量偏高,化学成分较协调的下部、中部及上部叶所占比例分别为38.7%、46.1%及32.5%;烟叶内在质量有较大提高,评吸质量接近进口烟叶质量水平的下部、中部及上部叶所占比例分别为28.0%、55.3%及36.4%。我国主产区白肋烟质量有明显改进,但部分样品烟碱含量偏高。我国香料烟质量总体水平有较大提高。对全国84个取样点的烟叶进行甲胺磷、呋喃丹、甲霜灵、抑芽敏、吡虫啉、六六六、滴滴涕、菌核净农药残留分析,仅云南宾川白肋烟的六六六含量超标。 相似文献
9.
10.
采用显微硬度测试仪、扫描电镜和透射电镜观察及能谱分析,研究了Al-0.5Mg-1.0Si-0.8Cu(wt.%)合金的晶界析出规律和晶内析出相的粗化机制。结果表明:180℃时效处理的Al-0.5Mg-1.0Si-0.8Cu(wt.%)合金晶界处存在富Si相和Q相两类不连续分布的析出相,它们的尺寸分别约为1 mm和几十纳米;时效0.5 h时晶界处有少量富Si相,时效5 h时晶界富Si相明显增多,时效36 h时富Si相开始粗化且间距变大,再进一步时效其形貌和分布变化不大;晶界Q相与相邻晶粒铝基体的界面取向关系是:[510]Al//[1120]Q;时效36 h晶内开始出现粗化析出相,且随时效继续进行合金晶内析出大量粗化相,存在明显的晶界无析出带现象。晶内粗化析出相主要含有Si元素,呈片状、球状和棒状3种形貌。其中,棒状Si析出相是沿〈001〉Al方向生长的,且〈112〉Si//〈001〉Al,{111}Si//{010}Al。 相似文献