低温下硅的光伏效应(英文)

<正> We diffused gold into Si wafers of good quality (Ln≥324μm) and obtained 6 samples with NAa = 7.94×1012 -6.96×1015cm-3. The minority carrier lifetime of each sample was measured with the photovoltage method and compareed with the calculated value, showing that maximum deviation is 4 times between them.     

自动变光焊接滤光镜响应时间快速测量方法

针对国内缺乏能够有效检测自动变光焊接护目镜响应时间的设备这一现状,提出了一种响应时间快速自动测试系统.创新地采用了嵌入式微控制器作为核心处理器,提高了信号采集和处理速度,使系统结构紧凑、易于使用.该系统能够检测响应时间13 μs ～ 30 ms的自动变光焊接滤光镜,重复性误差达到8μs,与类似测量系统相比时间测量精度有很大提高.该系统的提出,为自动变光滤光镜产品的质量监督和测量标准化提供了技术支持,对减少焊工职业病发生具有重要意义.     

多束系统对12Cr-ODS钢辐照损伤协同效应的研究

室温下用不同种类的离子束对12Cr-ODS钢进行辐照。辐照前后12Cr-ODS钢的力学性能发生了明显变化,主要表现为辐照肿胀和辐照硬化,其中三束辐照下材料有最大的肿胀和最小的硬化。结合TEM照片对材料的辐照变化进行了分析。对材料进行拉曼光谱的测量,发现有碳析出现象,并且把碳峰的强度分布与辐照损伤分布进行了相互关联。本文为12Cr-ODS钢在实际反应堆中的应用积累了实验数据,明确了协同作用对核材料辐照损伤的影响。     

网络办公自动化系统开发之我见

伴随着科学技术的迅速发展,网络办公自动化系统开始受到越来越多的人的重视。更多的企业开始利用网络应用平台或者是网络通讯基础来提升办公的效率,进行电子化管理,从而实现无纸化办公。本文基于网络办公系统的含义,介绍了网络办公自化系统设计应遵守的原则,并提出了网络办公自动化系统设计的基本模块。     

GaAs异质面太阳电池光谱响应和暗J-V特性的拟合分析

本文用LPE法制备了GsAs异质面太阳电池,测量了电池的光谱响应(SR)和暗J—V特性,推导了它们的理论公式,用这些理论公式对测量值进行了曲线拟合。从SR拟合求得三个区的少子扩散长度、AlGaAs层厚度、结深、前表面和界面复合速度等七个结构参数。从暗∫—V特性拟合求得扩散电流密度分量、复合电流密度分量、结品质因子和串并联电阻等五个电学参数。最后分析拟合结果,讨论了这些参数对电池效率的影响,提出提高效率的方法。     

综合地球物理方法在探测秦始皇帝陵地宫中的应用

应用高精度重力、磁法测量，高密度电法测量，放射性氡气、地震、地温、测汞、核磁共振等测量探测秦始皇帝陵地宫，经过精心施工、综合对比分析，探测出秦始皇帝陵地宫的范围，封土堆中的细夯土墙，墓室的具体位置和西向墓道等，是近期秦始皇帝陵考古的重大发现。     

AlGaAs/GaAs太阳电池抗辐照性能的研究(英文)

The changes of performence of AlGaAs/GaAs heteroface solar cell after 1 -MeV electron irradiation has been studied by the experimental and numerical fitting. Using an improved damped least square method, the spectral response and dark J-V characteristic of the cells are fitted according to the various theoretical formulas. From the fitting calculation, a number of materials, structural and electric parameters of the cell are obtained. The experimental data and calculated results show that the critical irradiation flux of the cell is about 2.2×1014 cm-2, the damge constant KL for the minority carrier diffusion length in n-GaAs layer due to irradiation is found to be larger than that in p-GaAs, layer, they are about 7.0×10-3 and 2.2×10-7, respectively, the degradation of the minority carrier diffusion length in p-GaAs layer and the increase in the recombination velocity at interfaec are the majar reasons for the cell performence degradation. The cell with a shallow junction has higher irradiation resistance than the one with a deep junction. Based on the studies, the method for improving the irradiation resistance of the cell is discussed.     

光伏法测量AlAs/GaAs超晶格子带间光跃迁

采用电容耦合法,在18—300K温度范围内测量了AlAs/GaAs超晶格的光伏谱.在100K以下,光伏曲线反映了台阶式二维状态密度分布,可观测到6个信号峰.采用Kronig-Penney模型计算势阱中导带和价带子带的位置和带宽,共有3个导带子带,6个重空穴子带和3个轻空穴子带.根据宇称守恒确定光跃迁选择定则,对6个峰进行指认.实验结果与理论计算的结果基本相符合.     

1－MeV电子辐照对Al_xGa_（1－x）As／GaAs异质面太阳电池性能的影响

对ＡｌｘＧａｌ－ｘＡｓ／ＧａＡｓ异质面太阳电池经ｌ－ＭｅＶ电子辐照前后的性能变化进行实验研究和数值拟合分析．讨论了电池性能衰退的主要原因，并提出了如何提高ＡｌｘＧａ１－ｘＡｓ／ＧａＡｓ异质面太阳电池的抗电子辐照能力的方法．     

GexSi1—x／Si应变层超晶格光伏特性研究

采用电容耦合法测量了Ge_xSi_(1-x)/Si应变层超晶格在不同温度下的光伏特性.在Ⅱ型能带排列的样品中观测到价带-导带子带和价带子带-导带光跃迁的4个峰.对所有样品测得的光伏截止波长都比理论预期值小.还对光电压随温度的变化作了初步解释.