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1.
电荷耦合器件(CCD)多晶硅交叠区域绝缘介质对成品率和器件可靠性具有重要的影响。将氮化硅和二氧化硅作为CCD多晶硅层间复合绝缘介质,采用扫描电子显微镜(SEM)和电学测试系统研究了多晶硅层间氮化硅和二氧化硅复合绝缘介质对CCD多晶硅栅间距和多晶硅层间击穿电压的影响。研究结果表明,多晶硅层间复合绝缘介质中的氮化硅填充了多晶硅热氧化层的微小空隙,可以明显改善绝缘介质质量。多晶硅层间击穿电压随着氮化硅厚度的增加而增大,但太厚的氮化硅会导致CCD暗电流明显增大。由于复合绝缘介质质量好,可以减小CCD多晶硅的氧化厚度。 相似文献
2.
3.
4.
5.
针对锦州石化延迟焦化主分馏塔能耗较大的问题,运用流程模拟软件SjmSci/PR0 Ⅱ对延迟焦化分馏单元进行了模拟,选取Refinery估算方法和Grayson-streed物性选择集对延迟焦化分馏单元进行了模拟.模拟结果与实际生产数据基本一致,说明流程模拟技术对实际生产有很好的指导作用. 相似文献
6.
根据64×64元InSb红外探测器对读出电路的要求,运用电路模拟和CAD技术,设计并研制了以X-Y寻址方式的64×64元InSb红外探测器用信号读出电路。文章重点介绍了64×64元InSb阵列CMOS读出电路的工作原理和设计考虑。 相似文献
7.
时间延迟积分电荷耦合器件(TDI CCD)主要应用于弱光信号探测,其在强光应用场合容易出现弥散现象。针对该问题,研制了横向抗弥散多光谱TDI CCD图像传感器。该器件包含四个多光谱段(B1~B4区),有效像元数为3 072元,像元尺寸为28μm×28μm。大像元可以在弱光环境下提供良好的光谱区分能力,通过滤光片可获得蓝光、绿光、红光和近红外波段的图像。为了减小抗弥散对器件满阱电子数的不利影响,采用了紧凑的抗弥散结构,仅占像元面积的7.1%。器件满阱电子数为500ke-,抗弥散能力为100倍,读出噪声小于等于70e-,动态范围大于等于7143∶1。 相似文献
8.
为了在牛头刨床上推广和使用不重磨刀具,减少刀具磨损,提高工件表面光洁度,我们把进口设备上的抬刀装置,经过改造应用在 B 665型牛头刨床上,使用效果很好,改动简单,和其他抬刀装置比具有动作可靠,调整机床行程时,抬刀装置不用调整等特点。现介绍如下: 如图所示,芯轴7固定于滑枕 相似文献
9.
针对某2205双相不锈钢材质的钠化提钒废水MVR蒸发结晶器出现腐蚀穿孔刺漏的问题,利用金相分析、X射线衍射(XRD)、电感耦合等离子体(ICP)、扫描电子显微镜(SEM)等材料测试表征技术获取MVR蒸发器材料金相组织、物相、化学成分及表面腐蚀形貌数据,分析设备出现腐蚀穿孔刺漏的原因。研究结果表明,设备运行过程中具有固-液-汽三相流特征的高温蒸汽携带含盐腐蚀性液滴、盐粒,对材料构成冲刷腐蚀环境,导致2205双相钢材料表面发生了严重的点蚀和晶间腐蚀。因此,2205双相不锈钢的耐腐蚀能力不足以支撑设备在苛刻的腐蚀环境中长期服役,不满足建造钠化提钒废水MVR蒸发器的材质要求。 相似文献
10.