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设计了一种高性能BCMOS全差分运算放大器.该运放采用复用型折叠式共源共栅结构、开关电容共模反馈以及增益增强技术,在相同功耗和负载电容条件下,与传统CM0S增益增强型运算放大器相比,具有高单位增益带宽、高摆率及相位裕度改善的特点.在Cadence环境下,基于Jazz 0.35μm BiCMOS标准工艺模型,对电路进行Spectre仿真.在5 V电源电压下,驱动6pF 负载时,获得开环增益为115.3 dB、单位增益带宽为161.7 MHz、开环相位裕度为77.3°、摆率为327.0 V/μm、直流功耗(电流)为1.5 mA. 相似文献
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D类功放中输入斩波运放电路的设计 总被引:1,自引:0,他引:1
基于n阱0.5μm DPDM CMOS工艺,完成了D类音频功放中输入斩波运算放大器的设计.分析了D类系统对输入运放的设计要求,在此基础上确定了电路采用两级全差分结构实现.并加入斩波结构降低噪声.采用PTAT电流源提供运放的偏置电流,补偿运放跨导gm的温度漂移.在Cadence下的电路仿真表明,前级运放具有16 μV·Hz-1/2的等效输入噪声,开环增益达到117.3 dB.运放所在芯片经过PWM方式流片验证,测试结果显示,芯片THD达到0.58%(f=1 kHz、P.=1 W、VDD=5 V),电源抑制比为65 dB. 相似文献
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自从Mimura等人1980年首次研制出了第一只高电子迁移率晶体管(HEMT),其优越的电子传输性能备受注目,可望在超高速数字电路和逻辑集成电路中得到广泛应用。本文采用Xia等人提出的三段速-场公式,在考虑了300K时场相关迁移率、沟道长度调制效应以及串联源、漏电阻等效应的基础上,又加入了Al_xGa_(al-x)As的组分x的调制效应,以适应能带工程和高性能电路的需要;推导并求解x>0.3的Al_xGa_(1-x)As/GaAsHEMT的直流I-V特性。计算结果与理论值符合良好。 相似文献
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